如何測試 CMOS 閘極介電層的可靠性

+ 參數分析儀

CMOS 閘極介電層擊穿特性分析

互補金屬氧化物半導體（CMOS）閘極介電層的特性分析，需在施加受控的電壓或電流應力的同時，測量閘極洩漏電流及介電擊穿行為。零時間介電擊穿（TZDB）是將閘極電壓逐步增加直至發生擊穿；而時間依賴性介電擊穿（TDDB）則是施加恆定的電壓或電流應力，並測量介電層失效所需的時間。

電壓斜坡（V-Ramp）與電流斜坡（J-Ramp）測量提供了評估介電行為的額外方法。V-Ramp 測試是以恆定的線性速率增加介電體兩端的電壓，直至發生擊穿；而 J-Ramp 測試則是在對數間隔的時間點上增加電流。這些測量可捕捉包括擊穿電壓、擊穿時間，以及擊穿前注入介電體的總電荷等參數。

CMOS 閘極介電層可靠性測試解決方案

閘極介電層可靠性測試需要結合受控的電應力與高靈敏度的電流及電壓測量，以偵測介電擊穿。B1500A 半導體元件分析儀提供可配置的源/監測單元，用於施加應力並測量閘極漏電流，其中包含針對低漏電流元件的高解析度電流測量功能。 EasyEXPERT 提供即用型應用測試，適用於零時間介電擊穿 (TZDB)、時間依賴性介電擊穿 (TDDB)、電壓斜坡 (V-Ramp) 及電流斜坡 (J-Ramp) 測量。透過 V-Ramp 和 J-Ramp 測試，可確定諸如總擊穿電荷和擊穿電壓等擊穿參數；同時，測量結果與電流-電壓特性可顯示並儲存，以供後續分析。

索取報價