CMOS 게이트 유전체 신뢰성 시험 방법

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CMOS 게이트 유전체 항복 특성 분석

상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 게이트 유전체 특성 분석을 위해서는 게이트 누설 및 유전체 항복 동작을 측정하는 동시에 제어된 전압 또는 전류 스트레스를 인가해야 합니다. TZDB(Time-Zero Dielectric Breakdown)는 항복이 발생할 때까지 증가하는 게이트 전압을 인가하고, TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown)는 일정한 전압 또는 전류 스트레스를 인가하여 유전체 고장에 소요되는 시간을 측정합니다.

전압 램프(V-Ramp) 및 전류 램프(J-Ramp) 측정은 유전체 동작을 평가하기 위한 추가적인 방법을 제공합니다. V-Ramp 테스트는 고장이 발생할 때까지 일정한 선형 비율로 유전체의 전압을 증가시키고, J-Ramp 테스트는 로그 간격의 시간 포인트에서 전류를 증가시킵니다. 측정 시 항복 전압, 항복까지의 시간, 항복 전에 유전체에 주입된 총 전하량 등의 파라미터를 캡처할 수 있습니다.

CMOS 게이트 유전체 신뢰성 테스트 솔루션

게이트 유전체 신뢰성 테스트에는 유전체 항복을 감지하기 위한 민감한 전류 및 전압 측정과 결합된 제어된 전기적 스트레스가 필요합니다. B1500A 반도체 디바이스 분석기는 스트레스 소싱 및 게이트 누설 측정을 위한 구성 가능한 소스/모니터 유닛을 제공하며, 저누설 디바이스를 위한 고해상도 전류 측정을 포함합니다. EasyEXPERT는 TZDB(Time-Zero Dielectric Breakdown), TDDB(Time-Dependent Dielectric Breakdown), 전압 램프(V-Ramp) 및 전류 램프(J-Ramp) 측정을 위한 즉시 사용 가능한 애플리케이션 테스트를 제공합니다. V-Ramp 및 J-Ramp 테스트를 통해 항복 전하량 및 항복 전압과 같은 항복 파라미터를 결정할 수 있으며, 측정 결과와 전류-전압 특성을 표시하고 저장하여 후속 분석에 활용할 수 있습니다.
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