CMOS 게이트 유전체 신뢰성 시험 방법

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CMOS 게이트 유전체 파괴 특성 분석

보완형 금속 산화물 반도체(CMOS) 게이트 유전체의 특성 분석을 위해서는 게이트 누설 및 유전체 절연 파괴 거동을 측정하면서 제어된 전압 또는 전류 부하를 가해야 합니다. 시간 제로 유전체 절연 파괴(TZDB)는 절연 파괴가 발생할 때까지 게이트 전압을 점차 증가시켜 가하는 반면, 시간 의존형 유전체 절연 파괴(TDDB)는 일정한 전압 또는 전류 부하를 가하고 유전체가 파괴되는 데 걸리는 시간을 측정합니다.

전압 램프(V-Ramp) 및 전류 램프(J-Ramp) 측정은 유전체 거동을 평가하는 추가적인 방법을 제공합니다. V-Ramp 시험은 유전체에 걸린 전압을 일정한 선형 속도로 파손될 때까지 증가시키는 반면, J-Ramp 시험은 로그 간격으로 설정된 시간 지점에서 전류를 증가시킵니다. 이러한 측정을 통해 절연 파괴 전압, 절연 파괴까지 걸리는 시간, 절연 파괴 전에 유전체에 주입된 총 전하량 등의 매개변수를 파악할 수 있습니다.

CMOS 게이트 유전체 신뢰성 테스트 솔루션

게이트 유전체 신뢰성 테스트는 유전체 파괴를 감지하기 위해 제어된 전기적 스트레스와 정밀한 전류 및 전압 측정을 병행해야 합니다. B1500A 반도체 소자 분석기는 스트레스를 공급하고 게이트 누설 전류를 측정하기 위한 구성 가능한 소스/모니터 유닛을 제공하며, 여기에는 저누설 소자를 위한 고해상도 전류 측정 기능도 포함됩니다. EasyEXPERT는 시간 제로 유전체 파괴(TZDB), 시간 의존적 유전체 파괴(TDDB), 전압 램프(V-Ramp) 및 전류 램프(J-Ramp) 측정을 위한 즉시 사용 가능한 애플리케이션 테스트를 제공합니다. V-Ramp 및 J-Ramp 테스트를 통해 파열까지의 총 전하 및 파열 전압과 같은 파열 매개변수를 파악할 수 있으며, 측정 결과와 전류-전압 특성을 표시하고 저장하여 추후 분석에 활용할 수 있습니다.
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