Come verificare l'affidabilità del dielettrico del gate CMOS
Caratterizzazione della rottura dielettrica del gate CMOS
La caratterizzazione del dielettrico di gate dei circuiti CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) richiede l’applicazione di una tensione o di una corrente controllata, misurando al contempo la dispersione di gate e il comportamento di rottura dielettrica. Nel test di rottura dielettrica al tempo zero (TZDB) viene applicata una tensione di gate crescente fino al verificarsi della rottura, mentre nel test di rottura dielettrica dipendente dal tempo (TDDB) viene applicata una tensione o una corrente costante e viene misurato il tempo necessario affinché il dielettrico ceda.
Le misurazioni della rampa di tensione (V-Ramp) e della rampa di corrente (J-Ramp) offrono ulteriori metodi per valutare il comportamento dielettrico. Una prova V-Ramp aumenta la tensione applicata al dielettrico a una velocità lineare costante fino al cedimento, mentre una prova J-Ramp aumenta la corrente in intervalli di tempo disposti in modo logaritmico. Le misurazioni consentono di rilevare parametri quali la tensione di rottura, il tempo di rottura e la carica totale iniettata nel dielettrico prima della rottura.
Soluzione per il test di affidabilità del dielettrico dei gate CMOS
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Analizzatore di parametri di dispositivi a semiconduttore B1500A / Sistema di caratterizzazione a semiconduttore Mainframe
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