如何提升晶圓上電容值（CV）的測量精度

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提升晶圓上電容值 (CV) 的測量精度

要在晶圓上進行電容-電壓測量，必須仔細管控探針連接、纜線阻抗及晶圓夾持器效應，才能獲得可重複的元件特性。此測試設定結合了電容與電流-電壓測量，同時維持穩定的訊號傳輸路徑，並將寄生效應降至最低。

精確的測量取決於採用開路、短路及可選的負載補償，並配合最佳化的測試頻率、訊號電平、積分時間及纜線長度。透過適當的低端端子佈線與回流路徑設計，可減少半導體元件特性分析過程中的洩漏、雜訊及殘餘誤差。

晶圓上電容值 (CV) 精度解決方案

要精確地進行 CV 與 IV 特性分析，必須具備穩定的四端子連接、受控的電流回流路徑，以及對殘餘纜線阻抗與寄生導納的補償。 是德科技半導體元件分析儀將源/測與電容測量功能整合於單一平台，具備 CV 與 IV 路徑之間的自動切換功能，支援屏蔽式雙端子配置，並提供開路/短路/負載補償以提升測量精度。其圖形化應用程式設定簡化了參數輸入與結果顯示，而 1 kHz 至 5 MHz 的電容測量範圍則可支援各式各樣的元件與材料特性分析工作流程。
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