如何提升晶圓上電容值（CV）的測量精度

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改善晶圓上 CV 準確度

晶圓上電容-電壓測量需要審慎管理探棒連接、纜線阻抗和晶圓吸盤效應，才能取得可重複的元件特性。此設定結合了電容與電流-電壓測量，同時維持穩定的信號繞徑並將寄生效應降至最低。

準確的測量取決於開路、短路與選配負載校正，以及最佳化的測量頻率、信號位準、積分時間和纜線長度。適當的低端端點繞徑與回流路徑實作可減少半導體元件特性分析期間的漏電流、雜訊與殘餘誤差。

晶圓上電容值 (CV) 精度解決方案

準確的 CV 與 IV 特性分析需要穩定的四端子連接、受控的電流回流路徑，以及針對殘餘纜線阻抗和雜散導納的校正。Keysight 半導體元件分析儀在單一平台上結合了源／測定與電容測量功能，並支援 CV 與 IV 路徑之間的自動切換、支援隔離式雙端子組態，以及提供開路／短路／負載校正以提升測量準確度。其圖形化應用程式設定簡化了參數輸入與結果顯示，而 1 kHz 至 5 MHz 的電容測量範圍則支援各種元件與材料特性分析工作流程。
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