Wie man die Genauigkeit von On-Wafer-CVs verbessert

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Verbesserung der On-Wafer-CV-Genauigkeit

Für reproduzierbare Bauteilcharakteristika ist bei der Messung der Kapazität und Spannung auf dem Wafer eine sorgfältige Steuerung der Sondenanschlüsse, der Kabelimpedanz und der Wafer-Chuck-Effekte erforderlich. Der Messaufbau kombiniert Kapazitäts- und Strom-Spannungs-Messungen und gewährleistet dabei eine stabile Signalführung sowie die Minimierung parasitärer Effekte.

Genaue Messungen erfordern die Kompensation von Leerlauf, Kurzschluss und optionaler Last sowie eine optimierte Testfrequenz, einen optimierten Signalpegel, eine optimierte Integrationszeit und eine optimierte Kabellänge. Eine korrekte Leitungsführung am unteren Anschluss und eine optimale Rückleitung reduzieren Leckströme, Rauschen und Restfehler bei der Charakterisierung von Halbleiterbauelementen.

Lösung zur Verbesserung der CV-Genauigkeit auf Wafer-Ebene

Für eine präzise CV- und IV-Charakterisierung sind stabile Vierpolanschlüsse, ein kontrollierter Stromrückleitungspfad sowie die Kompensation von Restkabelimpedanz und Streuadmittanz erforderlich. Der Keysight Semiconductor Device Analyzer vereint Source/Measure- und Kapazitätsmessfunktionen in einer einzigen Plattform. Er bietet automatisches Umschalten zwischen CV- und IV-Pfaden, Unterstützung für geschirmte Zweipolkonfigurationen und Kompensation für Leerlauf, Kurzschluss und Last für eine höhere Messgenauigkeit. Die grafische Anwendungsoberfläche vereinfacht die Parametereingabe und Ergebnisdarstellung, während der Kapazitätsmessbereich von 1 kHz bis 5 MHz eine Vielzahl von Arbeitsabläufen zur Bauelement- und Materialcharakterisierung unterstützt.
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Siehe Blockdiagramm der On-Wafer-CV-Genauigkeitslösung

Blockdiagramm zur Verbesserung der On-Wafer-CV-Genauigkeit

Entdecken Sie Produkte in unserer Lösung zur Genauigkeit von On-Wafer-CVs.

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