Wie man die Strom-Spannungs-Kennlinien von Bipolartransistoren charakterisiert

Angebot anfordern
Pro Tisch-Quellenmessgerät
+ Pro Tischquellenmessgerät
Pro Tisch-Quellenmessgerät
+ Pro Tischquellenmessgerät

Genaue Messung der IV-Kennlinie eines Bipolartransistors (BJT)

Zur Charakterisierung von Bipolartransistoren ist es erforderlich, kontrollierte Spannungen anzulegen und die resultierenden Ströme an mehreren Anschlüssen zu messen. Der Testaufbau muss die Versorgung mehrerer Kanäle mit Spannung oder Strom ermöglichen und gleichzeitig Strom und Spannung messen, um das Verhalten des Bauelements unter verschiedenen Vorspannungsbedingungen zu erfassen.

Das Messverfahren beinhaltet das Anlegen einer Spannung an die Basis-Emitter- und Kollektor-Emitter-Übergänge, wobei in jedem Schritt die Stromantwort aufgezeichnet wird. Genaue Ergebnisse hängen von einem synchronisierten Mehrkanalbetrieb, einer korrekten Messbereichskonfiguration und der Erfassung von Stromänderungen über einen weiten dynamischen Bereich ab, um Kennlinien wie Gummel-Diagramme zu erstellen.

Lösung zur IV-Charakterisierung von Bipolartransistoren (BJT)

Die BJT-Charakterisierung erfordert die gleichzeitige Bereitstellung und Messung an mehreren Anschlüssen über synchronisierte Kanäle. Die Lösung integriert eine zweikanalige Source Measure Unit (SMU), die eine präzise Spannungs- und Stromversorgung mit hochauflösender Messung kombiniert. Sie unterstützt den Vier-Quadranten-Betrieb, wodurch eine genaue I-V-Charakterisierung über einen großen Dynamikbereich ermöglicht wird. Das System ermöglicht automatisierte Spannungssweeps, Echtzeit-Grafikvisualisierung und Datenprotokollierung über intuitive grafische Benutzeroberflächen. Zu den weiteren Funktionen gehören ein Kompressionsschutz zur Vermeidung von Geräteschäden sowie mehrere Software-Steuerungsoptionen für die Automatisierung, die eine effiziente und wiederholbare Charakterisierung des Transistorverhaltens ermöglichen.
Angebot anfordern

Siehe Blockdiagramm der IV-Charakterisierungslösung für Bipolar-Transistoren

Wie man die Strom-Spannungs-Kennlinien von Bipolartransistoren charakterisiert

Entdecken Sie Produkte in unserer Lösung zur IV-Charakterisierung von Bipolartransistoren

Verwandte Anwendungsfälle

Wie man den spezifischen Widerstand von Isoliermaterialien misst

Messen Sie den Oberflächen- und Volumenwiderstand von Isoliermaterialien mit hoher Genauigkeit mithilfe von Elektrometern und Widerstandszellen.

Mehr erfahren

Wie man FET-Verstärker entwirft und optimiert

Entwurf und Optimierung von FET-Verstärkern mithilfe von Simulations- und Messabläufen zur genauen Validierung der HF-Leistung.

Mehr erfahren

Wie man den Leckstrom eines Kondensators misst

Messen Sie den Leckstrom von Kondensatoren präzise mit Elektrometern, die über eine gesteuerte Zeitsteuerung, Rauschunterdrückung und hochauflösende Strommessung verfügen.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Kontaktieren Sie einen unserer Experten

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt