웨이퍼 상 CV 정확도를 높이는 방법

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웨이퍼 상 CV 정확도 향상

웨이퍼 상의 정전용량-전압 측정을 수행할 때는 재현성 있는 소자 특성을 얻기 위해 프로브 연결, 케이블 임피던스 및 웨이퍼 척의 영향을 세심하게 관리해야 합니다. 이 설정은 안정적인 신호 경로를 유지하고 기생 효과를 최소화하면서 정전용량 및 전류-전압 측정을 결합합니다.

정확한 측정 결과는 개방, 단락 및 선택적 부하 보정과 더불어 최적화된 시험 주파수, 신호 레벨, 적분 시간 및 케이블 길이에 달려 있습니다. 단자 하단의 배선 경로를 적절히 설계하고 리턴 경로를 올바르게 구현하면 반도체 소자 특성 분석 과정에서 발생하는 누설, 노이즈 및 잔류 오차를 줄일 수 있습니다.

웨이퍼 상 CV 정확도 솔루션

정확한 CV 및 IV 특성 분석을 위해서는 안정적인 4단자 연결, 제어된 전류 회로 경로, 그리고 잔류 케이블 임피던스 및 표유 어드미턴스에 대한 보정이 필요합니다. 키사이트 반도체 소자 분석기는 소스/측정 및 정전용량 측정 기능을 단일 플랫폼에 통합하고, CV 및 IV 경로 간 자동 전환, 차폐된 2단자 구성 지원, 측정 정확도 향상을 위한 개방/단락/부하 보정 기능을 제공합니다. 그래픽 기반 애플리케이션 설정 기능을 통해 매개변수 입력 및 결과 표시가 간편하며, 1 kHz~5 MHz의 정전용량 측정 범위는 다양한 소자 및 재료 특성 분석 워크플로우를 지원합니다.
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