웨이퍼 상 CV 정확도를 높이는 방법

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온웨이퍼 CV 정확도 향상

온웨이퍼 커패시턴스-전압 측정은 반복 가능한 소자 특성을 얻기 위해 프로브 연결, 케이블 임피던스, 웨이퍼 척 영향을 세심하게 관리해야 합니다. 이 셋업은 안정적인 신호 라우팅을 유지하고 기생 효과를 최소화하면서 커패시턴스 및 전류-전압 측정을 결합합니다.

정밀한 측정은 최적화된 테스트 주파수, 신호 레벨, 적분 시간, 케이블 길이와 함께 오픈, 쇼트 및 선택적 부하 보정에 좌우됩니다. 적절한 로우 단자 라우팅과 복귀 경로 구현은 반도체 소자 특성 분석 중 누설 전류, 노이즈, 잔류 오차를 줄여줍니다.

웨이퍼 상 CV 정확도 솔루션

정밀한 CV 및 IV 특성 분석을 위해서는 안정적인 4단자 연결, 제어된 전류 복귀 경로, 잔류 케이블 임피던스 및 표면 어드미턴스에 대한 보정이 필요합니다. 키사이트 반도체 디바이스 분석기는 소스/측정 및 커패시턴스 측정 기능을 단일 플랫폼에 통합하며, CV와 IV 경로 간의 자동 전환, 차폐형 2단자 구성 지원, 측정 정확도 향상을 위한 오픈/쇼트/부하 보정 기능을 제공합니다. 그래픽 애플리케이션 셋업으로 파라미터 입력과 결과 출력이 간소화되며, 1 kHz ~ 5 MHz 커패시턴스 측정 범위는 다양한 소자 및 재료 특성 분석 워크플로를 지원합니다.
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