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一體化、全面的半導體元件特性分析
是德科技參數分析儀在單一整合平台上提供全面的半導體元件特性分析。這些模組化系統結合精密電流-電壓（IV）與電容-電壓（CV）測試、脈衝量測及可靠性測試功能，支援從進階 到高功率元件的廣泛裝置。 憑藉業界領先的測量精度、靈活的配置選項及直觀的軟體控制，是德參數分析儀能有效加速元件的研發與認證流程。立即索取報價或選購熱門配置機型。需要選型協助？請參閱下方資源。
靈活的模組化設計
配置您的分析儀，最多可搭載10個可互換模組，以滿足廣泛的測試需求，包括SMU、CV計量器、波形產生器及開關矩陣。
全範圍測量
精準表徵從亞飛安培級漏電流至千伏級功率開關的裝置，支援從低功率研究到進階 半導體測試的全方位需求。
面向未來的可擴展性
隨著需求增長，可輕鬆升級系統：只需添加更高功率模組、脈衝測量單元或切換功能，即可擴展測試覆蓋範圍，無需更換整套系統。
整合測試軟體
透過圖形化介面簡化測試設定與分析流程，該介面包含預建測試函式庫、即時繪圖功能及進階 比較工具。
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Maximum output current
1 A DC / 3 A pulse 至 2 A DC / 40 A pulse
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最小電流量測解析度
0.1 fA 至 10 fA
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Number of channels
5 至 10
最熱門配置
半導體元件參數分析儀／半導體特性分析系統主機
功率元件分析儀／曲線追蹤儀
預先配置的功率元件分析儀/曲線追蹤儀（B1505A 配備模組與測試夾具）
服務與支援
透過精選支援方案以及優先回應與周轉時間，加速創新。
取得可預測的租賃式訂閱和完整的生命週期管理解決方案，讓您更快達成業務目標。
成為 KeysightCare 訂閱者，體驗更優質的服務，獲得承諾的技術回應及更多。
確保您的測試系統符合規格要求，並符合當地與全球標準。
透過內部講師指導的訓練和線上學習，快速進行量測。
下載 Keysight 軟體，或將您的軟體更新至最新版本。
常見問題
參數分析儀是一種整合式模組化測試系統，將多種半導體量測功能（包括電流-電壓（IV）、電容-電壓（CV）、脈衝及切換測試）整合於單一機箱內。相較於獨立式電源管理單元（SMU）或零散儀器配置，參數分析儀透過內建時序控制、自動化及分析軟體，提供緊密同步的多領域量測能力。 此類儀器專為半導體元件特性分析優化，在靈活的測試架構下提供從飛安級至千伏安級的高解析度源/量測能力。其核心優勢在於系統層級的整合性、簡易配置與擴展性，能加速測試開發流程、儀器時序一致性，並無需外部同步或手動整合即可無縫測量基礎與複雜元件結構。
參數分析儀廣泛應用於各類半導體技術的研發、建模及可靠性測試。 它們非常適合用於表徵離散元件（例如二極體、MOSFET、雙極性電晶體）、進階 （例如FinFET、高電壓電晶體）、功率元件（例如IGBT、碳化矽/氮化鎵電晶體），以及半導體、二維層或電阻式記憶體單元等新型材料。 憑藉其超寬量測範圍，參數分析儀能勝任從量測閘極絕緣層的超低漏電流，到評估高壓元件在脈衝或連續偏壓下的擊穿特性等各項任務。其亦適用於電路層級測試、模型參數提取（如Id-Vg、Id-Vd、gm、Ron）及靜電放電（ESD）抗擾度研究。 學術實驗室、半導體晶圓代工廠及元件製造商皆仰賴此類儀器，以確保從設計到生產的完整生命週期皆能獲得全面驗證。
參數分析儀支援多達十個量測模組，使用者可依據特定應用需求進行配置。這些模組包含精密模擬電源單元（SMU）、高壓或大電流模擬電源單元、電容量測單元（CMU）、快速脈衝模組（WGFMU）、切換矩陣等。 此模組化設計使使用者能針對多端子裝置客製化系統，於單次掃描中結合IV與CV測試，或執行涉及電壓應力、溫度變化或時間依賴性擊穿測試的自動化序列。 模組可隨時增設、升級或更換，無需全面翻修系統，具備未來擴充性並能適應新型裝置或測試方法。此設計同時支援同步觸發、即時控制及內部路由功能，有效降低佈線複雜度並最小化寄生誤差。
參數分析儀提供多種進階 特性分析技術，並將其緊密整合於單一測試環境中。這些技術包括：
- 準靜態IV與CV測量：適用於閾值電壓、亞閾值擺幅、開關電流比、閘極漏電流、結電容及體效應研究。
- 脈衝IV測試：在高功率或高速切換條件下，能有效降低器件的自加熱與電荷困陷效應。
- 電容-電壓（CV）剖面分析：運用低頻與高頻CV技術，提取摻雜分布曲線、氧化層厚度及界面態。
- 應力與可靠性測試：透過長時間偏置與計時掃描（含記錄功能），支援NBTI、HCI、TDDB及SILC等測試項目。
- 溫度依賴性分析：配備熱夾具或熱室的介面，用於可變溫特性分析。
- 嵌入式分析工具：即時 繪圖、參數提取範本（例如：gmmax、閾值電壓偏移、導通電阻Rds(on)）、合格/不合格比對，以及腳本API（例如：Python、SCPI），可實現無需外部軟體的可重複測試自動化與分析工作流程。
參數分析儀的選擇主要取決於應用所需的目標電壓、電流及測量精度。對於低功率裝置（如類比IC、進階 或感測器），配備精密低電流SMU（解析度可達0.1 fA）與CMU的標準參數分析儀最為理想。此類系統具備分析漏電流與亞閾值行為所需的靈敏度與穩定性。 相對地，高功率元件如碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）功率MOSFET或IGBT，則需支援最高3000V電壓與1500A電流的分析儀。此類分析儀配備具備順應性保護的專用功率SMU，可進行高速瞬態響應測量，並具備操作人員與被測裝置（DUT）雙重防護的安全特性。工程師還應考量：
- 脈衝寬度與上升時間特性，用以最小化熱效應，
- 高壓測量之防護與屏蔽設計
- 被測裝置的散熱要求
- 與切換矩陣或晶圓探測機的整合，以及
- 測試吞吐量與自動化介面（若用於高量產環境）。