- Vue d'ensemble
- Tous les modèles
- Soutien
Caractérisation complète et tout-en-un des dispositifs à semi-conducteurs
Les analyseurs de paramètres Keysight offrent une caractérisation complète des dispositifs semi-conducteurs au sein d'une plateforme unique et intégrée. Combinant des tests de précision courant-tension (IV) et capacité-tension (CV), des mesures pulsées et des tests de fiabilité, ces systèmes modulaires prennent en charge une large gamme de dispositifs, des matériaux Advanced aux composants de puissance élevée. Avec une précision de mesure de pointe, des options de configuration flexibles et un contrôle logiciel intuitif, les analyseurs de paramètres Keysight contribuent à accélérer la recherche, le développement et la qualification des dispositifs. Demandez un devis ou commandez l'une de nos configurations populaires dès aujourd'hui. Besoin d'aide pour choisir ? Consultez les ressources ci-dessous.
Conception modulaire flexible
Configurez votre analyseur avec jusqu'à 10 modules interchangeables pour répondre à un large éventail de besoins de test, notamment des SMU, des compteurs CV, des générateurs de formes d'onde et des matrices de commutation.
Mesures sur toute la gamme
Caractérisez avec précision les dispositifs, des fuites inférieures au femtoampère jusqu'aux commutations de puissance de plusieurs kilovolts, pour prendre en charge tous les domaines, de la recherche sur les faibles puissances aux tests avancés sur les semi-conducteurs de puissance.
Évolutivité prête pour l'avenir
Évoluez facilement à mesure que vos besoins augmentent en ajoutant des modules plus puissants, des unités de mesure d'impulsions ou des capacités de commutation afin d'étendre la couverture des tests sans avoir à remplacer le système.
Logiciel de test intégré
Simplifiez la configuration et l'analyse des tests grâce à une interface graphique qui comprend des bibliothèques de tests prédéfinies, des graphiques en temps réel et des outils avancés de comparaison des données.
-
Maximum output current
1 A DC / 3 A pulse to 2 A DC / 40 A pulse
-
Minimum current measurement resolution
0.1 fA to 10 fA
-
Number of channels
5 to 10
Configurations les plus populaires
Analyseur de paramètres de dispositifs semi-conducteurs / Système de caractérisation de semi-conducteurs Mainframe
Analyseur de dispositifs de puissance / Traceur de courbes
Services et assistance
Innovez rapidement grâce à des plans d'assistance personnalisés et à des délais de réponse et d'exécution prioritaires.
Bénéficiez d'abonnements prévisibles basés sur un contrat de location et de solutions de gestion du cycle de vie complet afin d'atteindre plus rapidement vos objectifs commerciaux.
Bénéficiez d'un service haut de gamme en tant qu'abonné KeysightCare pour obtenir une assistance technique dédiée et bien plus encore.
Assurez-vous que votre système de test fonctionne conformément aux spécifications et respecte les normes locales et internationales.
Effectuez rapidement des mesures grâce à des formations internes dispensées par des instructeurs et à l'apprentissage en ligne.
Téléchargez le logiciel Keysight ou mettez à jour votre logiciel vers la dernière version.
Questions fréquemment posées
Un analyseur de paramètres est un système de test modulaire intégré qui regroupe plusieurs fonctions de mesure des semi-conducteurs, notamment le courant-tension (IV), la capacité-tension (CV), les impulsions et la commutation, dans un seul châssis. Contrairement aux SMU autonomes ou aux configurations d'instruments fragmentaires, les analyseurs de paramètres offrent des mesures multi-domaines étroitement synchronisées avec des logiciels de synchronisation, d'automatisation et d'analyse intégrés. Ils sont optimisés pour la caractérisation des dispositifs à semi-conducteurs, offrant des capacités de source/mesure haute résolution allant des femtoampères aux kilovolts et ampères, le tout dans une architecture de test flexible. Leur principal avantage réside dans la cohérence au niveau du système, la facilité de configuration et l'évolutivité, ce qui permet un développement plus rapide des tests, une synchronisation cohérente entre les instruments et une mesure transparente des structures de dispositifs basiques et complexes sans synchronisation externe ni intégration manuelle.
Les analyseurs de paramètres sont largement utilisés dans la R&D, la modélisation et les tests de fiabilité des dispositifs à semi-conducteurs dans diverses technologies. Ils sont idéaux pour caractériser les dispositifs discrets (par exemple, les diodes, les MOSFET, les BJT), les transistors avancés (par exemple, les FinFET, les HEMT), les composants de puissance (par exemple, les IGBT, les FET SiC/GaN) et les nouveaux matériaux tels que les semi-conducteurs organiques, les couches 2D ou les cellules de mémoire résistives. Grâce à leur plage de mesure ultra-large, les analyseurs de paramètres conviennent à toutes les applications, de la mesure des courants de fuite ultra-faibles dans les diélectriques de grille à l'évaluation des caractéristiques de claquage des dispositifs haute tension sous polarisation pulsée ou continue. Ils sont également efficaces pour les tests au niveau des circuits, l'extraction des paramètres de modélisation (par exemple, Id-Vg, Id-Vd, gm, Ron) et les études de robustesse aux décharges électrostatiques (ESD). Les laboratoires universitaires, les fonderies de semi-conducteurs et les fabricants de dispositifs s'appuient sur eux pour garantir une validation complète tout au long du cycle de vie, de la conception à la production.
Les analyseurs de paramètres prennent en charge jusqu'à dix modules de mesure que les utilisateurs peuvent configurer en fonction de leur application spécifique. Ces modules peuvent inclure des SMU de précision, des SMU haute tension ou haute intensité, des unités de mesure de capacité (CMU), des modules à impulsions rapides (WGFMU), des matrices de commutation, etc. Cette modularité permet aux utilisateurs d'adapter le système aux dispositifs multiterminaux, de combiner des tests IV et CV en un seul balayage ou d'exécuter des séquences automatisées impliquant des tests de contrainte de tension, de variation de température ou de rupture en fonction du temps. Les modules peuvent être ajoutés, mis à niveau ou remplacés sans avoir à réviser l'ensemble du système, ce qui le rend évolutif et adaptable à de nouveaux types de dispositifs ou de méthodologies. Cette conception prend également en charge le déclenchement synchronisé, le contrôle en temps réel et le routage interne, ce qui réduit la complexité du câblage et minimise les erreurs parasites.
Les analyseurs de paramètres offrent une variété de techniques avancées de caractérisation électrique, étroitement intégrées dans un environnement de test unique. Celles-ci comprennent :
- Mesures IV et CV quasi-statiques : pour les études sur la tension de seuil, l'amplitude sous-seuil, le rapport courant marche/arrêt, la fuite de grille, la capacité de jonction et l'effet de corps.
- Test IV pulsé : minimise les effets d'auto-échauffement et de piégeage de charge pour les dispositifs soumis à une commutation à haute puissance ou à grande vitesse.
- Profilage capacité-tension (CV) : extrait les profils de dopage, l'épaisseur d'oxyde et les états d'interface à l'aide de méthodes CV à basse et haute fréquence.
- Essais de résistance et de fiabilité : prend en charge des essais tels que NBTI, HCI, TDDB et SILC grâce à des biais de longue durée et des balayages chronométrés avec enregistrement.
- Analyse en fonction de la température : interfaces avec des mandrins ou des chambres thermiques pour une caractérisation à température variable.
- Outils d'analyse intégrés : traçage en temps réel , modèles d'extraction de paramètres (par exemple, gmmax, décalage Vth, Rds(on)), comparaisons réussite/échec et API de script (par exemple, Python, SCPI) permettent d'automatiser les tests et les workflows d'analyse de manière reproductible sans logiciel externe.
Le choix de l'analyseur de paramètres dépend fortement de la tension, du courant et de la précision de mesure requis par l'application. Pour les dispositifs à faible puissance, tels que les circuits intégrés analogiques, les CMOS avancés ou les capteurs, un analyseur de paramètres standard équipé de SMU de précision à faible courant (résolution jusqu'à 0,1 fA) et de CMU est idéal. Ces systèmes offrent la sensibilité et la stabilité nécessaires à l'analyse du courant de fuite et du comportement sous-seuil. En revanche, les dispositifs à haute puissance tels que les MOSFET de puissance SiC et GaN ou les IGBT nécessitent des analyseurs prenant en charge des sources jusqu'à 3000 V et 1500 A. Ces analyseurs comprennent des SMU de puissance spécialisés avec protection de conformité, mesure à grande vitesse pour la réponse transitoire et des fonctions de sécurité pour protéger à la fois l'opérateur et le DUT. Les ingénieurs doivent également tenir compte des éléments suivants :
- largeur d'impulsion et temps de montée pour minimiser les effets thermiques,
- Conception de protection et de blindage pour les mesures haute tension,
- exigences en matière de dissipation thermique du DUT,
- intégration avec des matrices de commutation ou des testeurs de plaquettes, et
- Tester le débit et l'interface d'automatisation en cas d'utilisation dans des environnements à haut volume.