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オールインワンの包括的な半導体デバイス特性評価
キーサイトのパラメトリック・アナライザは、単一の統合プラットフォームで包括的な半導体デバイス特性評価を提供します。高精度な電流-電圧 (IV) および容量-電圧 (CV) テスト、パルス測定、信頼性試験を組み合わせたこれらのモジュラーシステムは、先進材料から高出力コンポーネントまで、幅広いデバイスに対応します。業界をリードする測定確度、柔軟な構成オプション、直感的なソフトウェア制御により、キーサイトのパラメトリック・アナライザは、デバイスの研究、開発、および認定を加速するのに役立ちます。今すぐ見積もりを依頼するか、人気の構成のいずれかを注文してください。 選択にお困りですか？以下のリソースをご確認ください。
柔軟なモジュラー設計
SMU、CVメータ、波形発生器、スイッチマトリクスなど、幅広いテストニーズに合わせて、最大10個の交換可能なモジュールでアナライザを構成できます。
フルレンジ測定
サブフェムトアンペアのリーク電流からキロボルトの電力スイッチングまで、デバイスを正確に特性評価し、低電力研究から先進的なパワー半導体テストまであらゆる用途をサポートします。
将来を見据えた拡張性
システムを交換することなくテストカバレッジを拡張するために、より高出力のモジュール、パルス測定ユニット、またはスイッチング機能を追加することで、要件の増加に合わせて簡単にアップグレードできます。
統合テストソフトウェア
事前構築済みのテストライブラリ、リアルタイムプロット、高度なデータ比較ツールを含むグラフィカルインターフェースにより、テストセットアップと解析を簡素化します。
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最大出力電流
1 A DC / 3 A pulse ～ 2 A DC / 40 A pulse
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最小電流測定分解能
0.1 fA ～ 10 fA
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Number of channels
5 ～ 10
人気の構成
半導体デバイス・パラメータイ・アナライザ／半導体特性評価システムメインフレーム
パワー・デバイス・アナライザ／カーブトレーサー
構成済みパワー・デバイス・アナライザ／カーブ・トレーサ
サービスとサポート
厳選されたサポートプランと、優先的な対応および迅速なターンアラウンドタイムにより、迅速なイノベーションを実現します。
予測可能なリースベースのサブスクリプションとフルライフサイクル管理ソリューションにより、ビジネス目標をより迅速に達成できます。
KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
テストシステムが仕様どおりに動作し、ローカルおよびグローバルな標準に準拠していることを保証します。
社内での講師主導トレーニングやeラーニングにより、迅速に測定を実施できます。
キーサイトのソフトウェアをダウンロードするか、最新バージョンにアップデートしてください。
よくあるご質問
パラメトリック・アナライザは、電流-電圧(IV)、容量-電圧(CV)、パルス、スイッチングなど、複数の半導体測定機能を単一のシャーシに統合した、モジュラー式のテスト・システムです。スタンドアロンのSMUや個別の計測器セットアップとは異なり、パラメトリック・アナライザは、内蔵のタイミング、自動化、解析ソフトウェアにより、緊密に同期されたマルチドメイン測定を提供します。これらは半導体デバイスの特性評価に最適化されており、フェムトアンペアからキロボルト、アンペアまでの高分解能なソース/測定機能を、柔軟なテスト・アーキテクチャ内で提供します。その主な利点は、システムレベルでの一貫性、容易な構成、およびスケーラビリティにあり、外部同期や手動統合なしに、より迅速なテスト開発、計測器間の一貫したタイミング、および基本から複雑なデバイス構造の両方のシームレスな測定を可能にします。
パラメータ・アナライザは、さまざまなテクノロジーにおける半導体デバイスの研究開発、モデリング、信頼性テストで広く使用されています。これらは、ディスクリートデバイス（例：ダイオード、MOSFET、BJT）、先進トランジスタ（例：FinFET、HEMT）、パワーコンポーネント（例：IGBT、SiC/GaN FET）、および有機半導体、2D層、抵抗メモリセルなどの新規材料の特性評価に最適です。超広範な測定範囲により、パラメータ・アナライザは、ゲート誘電体の超低リーク電流の測定から、パルスまたは連続バイアス下での高電圧デバイスのブレークダウン特性評価まで、あらゆる用途に適しています。また、回路レベルのテスト、モデリングパラメータ抽出（例：Id-Vg、Id-Vd、gm、Ron）、および静電放電（ESD）耐性研究にも効果的です。学術機関、半導体ファウンドリ、デバイスメーカーは、設計から生産までのライフサイクル全体にわたる包括的な検証を確実にするために、これらに依存しています。
パラメトリック・アナライザは、ユーザーが特定のアプリケーションに基づいて構成できる最大10個の測定モジュールをサポートします。これらのモジュールには、高精度SMU、高電圧または大電流SMU、容量測定ユニット(CMU)、高速パルス・モジュール(WGFMU)、スイッチング・マトリクスなどが含まれます。このモジュール性により、ユーザーはマルチ端子デバイス向けにシステムを調整したり、1回の掃引でIVテストとCVテストを組み合わせたり、電圧ストレス、温度変動、または時間依存性ブレークダウン・テストを含む自動シーケンスを実行したりできます。モジュールは、システム全体をオーバーホールすることなく追加、アップグレード、または交換できるため、将来性があり、新しいデバイスタイプや方法論に適応できます。この設計はまた、同期トリガリング、リアルタイム制御、および内部ルーティングをサポートし、配線複雑性を低減し、寄生誤差を最小限に抑えます。
パラメータアナライザは、単一のテスト環境に緊密に統合された、さまざまな高度な電気特性評価技術を提供します。これらには以下が含まれます。
- 準静的IVおよびCV測定: しきい値電圧、サブスレッショルドスイング、オン/オフ電流比、ゲートリーク、接合容量、およびボディ効果の研究に用いられます。
- パルスIVテスト: 高電力または高速スイッチング下のデバイスにおける自己発熱および電荷トラップ効果を最小限に抑えます。
- 容量-電圧 (CV) プロファイリング: 低周波および高周波CV法を用いて、ドーピングプロファイル、酸化膜厚、および界面準位を抽出します。
- ストレスおよび信頼性テスト: 長時間バイアス印加およびロギング付きのタイムドスイープにより、NBTI、HCI、TDDB、SILCなどのテストをサポートします。
- 温度依存性解析: 可変温度特性評価のために、サーマルチャックまたはチャンバーと接続します。
- 組み込み解析ツール: リアルタイムプロット、パラメータ抽出テンプレート（例：gmmax、Vthシフト、Rds(on)）、合否判定比較、およびスクリプトAPI（例：Python、SCPI）により、外部ソフトウェアなしで再現性のあるテスト自動化および解析ワークフローを実現します。
パラメータアナライザの選択は、アプリケーションで要求されるターゲット電圧、電流、および測定確度に大きく依存します。アナログIC、先進CMOS、センサーなどの低電力デバイスには、高精度低電流SMU（0.1 fA分解能まで）とCMUを搭載した標準的なパラメータアナライザが理想的です。これらのシステムは、リーク電流およびサブスレッショルド挙動解析に必要な感度と安定性を提供します。対照的に、SiCおよびGaNパワーMOSFETやIGBTのような高電力デバイスには、最大3000 Vおよび1500 Aの供給をサポートするアナライザが必要です。これらのアナライザには、コンプライアンス保護機能を備えた特殊なパワーSMU、過渡応答のための高速測定、およびオペレータとDUTの両方を保護する安全機能が含まれています。エンジニアは以下の点も考慮すべきです。
- 熱効果を最小限に抑えるためのパルス幅と立ち上がり時間の機能、
- 高電圧測定のためのガーディングおよびシールド設計、
- DUTの熱放散要件、
- スイッチングマトリクスまたはウェーハプローバとの統合、および
- 大量生産環境で使用される場合のテストスループットと自動化インターフェース。