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B1505A パワー・デバイス・アナライザ/カーブトレーサー
パワー・デバイス・アナライザ/カーブトレーサー
スタート価格:
B1505Aパワー・デバイス・アナライザ/カーブ・トレーサーは、サブpAから10 kV & 1500 Aまでのパワーデバイスを評価するためのワンボックスソリューションです。 10 µsパルスおよびµΩオン抵抗測定機能による精密測定機能。
主な特長
広範な動作条件にわたる正確な測定
- 最大1500 A/10 kVのパワーデバイス特性評価のための一体型のソリューション
- 高電圧バイアスでの中電流測定機能(例:1200 Vで500 mA)
- μΩオン抵抗測定機能
- 高電圧バイアスでの正確なサブpAレベルの電流測定
- 完全自動温度測定(-50 ℃~+250 ℃)
豊富なデバイス評価機能
- 完全自動キャパシタンス(Ciss、Coss、Crssなど)測定(最大3000 VのDCバイアス)
- 最小10 μsまでのハイパワー・パルスド測定
- パッケージデバイスとオンウェーハの両方のIGBT/FETゲート電荷測定に対応
- GaN電流コラプスの影響を特性評価するための高電圧/大電流高速スイッチオプション
- 最大5個の高電圧(3 kV)電源/測定チャネルによる優れた柔軟性
- インターロック機構搭載テストフィクスチャによる安全な温度依存テスト
測定効率の向上
- ケーブルのつなぎ替ることなく高電圧測定と大電流測定が可能
- パッケージデバイスとオンウェーハデバイスの両方のトランジスタ接合容量(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cdsなど)測定のための自動テスト回路形成
- パッケージ・パワー・デバイス用のセーフティインターロック付き標準テストフィクスチャ
- ハイパワー・デバイスのオンウェーハ測定(>200 A、最大10 kV)
- オシロスコープ・ビューでの印加電圧/電流波形の検証
- MS WindowsベースのEasyEXPERTソフトウェアによるデータ管理とデータ解析の簡素化
アップグレードと拡張が可能なハードウェアアーキテクチャー
- 豊富な測定モジュール
- 最大6個のピンによるハイ・パワー・デバイスのサポート
B1505Aパワー・デバイス・アナライザ/カーブトレーサは、ハイ・パワー・デバイスの特性評価をpA以下のレベルから10 kV/1500 Aまでの範囲で実行できる、唯一のワンボックスソリューションです。 このような機能は、IGBTやGaN、SiCのような材料など、新しいデバイスの評価に対応します。 B1505Aはさまざまなモジュールをサポートします:高電圧SMU(HVSMU)、大電流SMU(HCSMU)、超大電流(UHC)モジュール、超高電圧(UHV)モジュール、高電圧中電流(HVMC)モジュール。 またB1505AはハイパワーSMU(1 A/200 V)、ミディアムパワーSMU(100 mA/100 V)、中電流SMU(1 A/30 Vパルスド、100 mA/30 V DC)、マルチ周波数容量測定ユニット(1 kHz~5 MHz)もサポートしています。 この10スロットのモジュラー・メインフレームによりB1505Aを測定ニーズに適合できるよう構成することができます。
また、高電圧バイアス(最大3000 V)でのCiss、Coss、Crssやゲート電荷の完全自動キャパシタンス測定が可能で、高周波スイッチングコンバータ分野の重要なパラメータも簡単に評価できます。 -50 ℃~+250 ℃の自動温度評価もサポートしています。
B1505Aソフトウェア環境は、Microsoft® Windows® 10のオペレーティングシステムをベースにしたもので、便利なカーブトレーサ機能を使ってデバイス特性をチェックしたり、デバイスの不具合を検出することができます。 B1505Aでは、従来のカーブトレーサと同様に、ロータリーノブを使用してさまざまな掃引機能を制御することができます。 ブレークダウン電圧のようなパラメータをリアルタイムで評価することもできます。 また、「オシロスコープビュー」機能を使用すれば、オペレーターはデバイスに印加されている電圧や電流を最適にすることができます。 測定セットアップ情報および測定データは、B1505Aの内蔵ハードディスクドライブに自動的に記録されます。 この情報やデータはUSBメモリデバイスなどのポータブル記憶デバイスにコピーすることができます。 測定データもデバイス測定サマリーとともに、技術報告書に容易にコピーできます。
堅牢なテスト・フィクスチャ・ソリューションは、さまざまなタイプのパワー・デバイス・パッケージをサポートするためだけでなく、オペレーターの安全を確保(高電圧/大電流が発生するので)するためにも重要です。 従来のカーブトレーサには、その大きさが原因で一部のパワーデバイスを評価できないという制限があり、デバイスをテストするためにアダプタを応急的に取り付けることが必要な場合もありました。 しかし、B1505Aのテストフィクスチャは、サイズや形状に関係なく、MOSFET、ダイオード、IGBTなどのさまざまなデバイスをサポートします。 これは、大型のテスト・フィクスチャ・アダプタとカスタム・テスト・フィクスチャ・モジュールによって実現しました。 さらに、テストフィクスチャに内蔵されているインターロック機構によって、テストデバイスに高電圧/大電流を安全に印加することができます。
キ―サイトでは、既存のB1500AメインフレームからB1505Aメインフレームへの移行用キットも提供しています。 これにより、現在B1500Aをお使いの方も、電圧/電流測定機能をより安価に拡張することができます。
モジュール・セレクション・ガイド
測定リソース | 必要モジュール/エクスパンダー | 必要スロット数 | 最大構成 | 主な仕様 |
ハイパワーSMU(HPSMU) | B1510A HPSMU | 2 | 4 | 最大200 V、1 Aフォース。 10 fAの電流分解能 |
ミディアムパワーSMU(MPSMU) | B1511B MPSMU | 1 | 10 | 最大 100 V、100 mAフォース、10 fA 電流分解能 |
大電流用SMU (HCSMU) | B1512A HCSMU | 2 | 2 | 20 A/20 V (パルスド)、1 A/40 V (DC) *1 |
高電圧用SMU (HVSMU) | B1513C HVSMU | 2 | 5 | 1500 V/8 mA、3000 V/4 mA、(パルスドおよびDC) |
中電流SMU (MCSMU) | B1514A MCSMU | 1 | 6 | 1 A/30 V (パルスド)、100 mA/30 V (DC) |
マルチ周波数キャパシタンス測定ユニット (MFCMU) | B1520A MFCMU | 1 | 1 | 1 kHz~5 MHz。 0~±25 V(MFCMU内蔵DCバイアス使用時) 0~±3000 V(HVSMUと高圧バイアスティー使用時) |
高電圧中電流ユニット (HVMCU) | N1266A HVSMU エクスパンダー B1513B HVSMU および2個のB1514A MCSMU/B1512A HCSMU |
4 - 6 | 1 | ±1500 V / 2.5 A (パルスド)、 ±2200 V/ 1.1 A (パルスド) |
超大電流ユニット (UHCU) | N1265A 超大電流エクスパンダ/フィクスチャ および2個のB1514A MCSMU/B1512A HCSMU |
2 - 4 | 1 | 1500 A/ 60 V (パルスド)、22.5 kWピークパワー、 ±500 A / 60 V (パルスド)、7.5 kWピークパワー |
超高電圧ユニット (UHVU) | N1268A超高電圧エクスパンダー および2個のB1514A MCSMU もしくはB1512A HCSMU とB1514A MCSMUの組み合わせ |
2 - 3 | 1 | 10 kV/10 mA (DC)、10 kV/ 20 mA (パルスド) |
*1. 2つのHCSMUとデュアルHCSMUコンビネーションアダプタを使用することにより、電流範囲を40 A/20 V(パルスド)および2 A/40 V(DC)まで拡大できます。
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電流-電圧アナライザの詳細については、以下のWebサイトをご覧ください。プレシジョン電流/電圧アナライザ
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