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光學分析技術透過光學觀測與量測,為探究半導體元件的內部行為提供了一種獨特的方法。結合專用雷射光源、發光顯微鏡功能以及精密的光學儀器,安全工程師能夠識別元件內的活動區域,並擷取可能揭露側信道洩漏或與安全性相關行為的資訊。
有別於觀察功耗或電磁發射的傳統側信道量測,失效分析方法利用光學技術來深入觀察晶片上的局部區域。這使得工程師能夠精確定位主動電路、識別潛在的洩漏源,並更深入了解晶片內部如何執行安全性關鍵操作。
這些技術常用於支援漏洞研究、對策驗證、認證準備以及先進的安全評估。從透過光子發射成像定位感興趣的區域,到使用精確控制的雷射光源執行光學側信道量測,失效分析工具不僅有助於更深入理解元件行為,還能支援更具針對性的安全調查。
一套完整的失效分析設置在單一工作流程中結合了光學量測、成像與定位功能。DS1101A 故障注入雷射系統是該解決方案的核心,為精確的光學調查提供平台。使用者可以新增 DS1210A 1310 nm 單模側信道雷射光源或 DS1211A 1425 nm 單模側信道雷射光源來執行光學側信道量測,而 DS1105A 發光顯微鏡雷射工作站轉接器和 DS1131A 發光顯微鏡擴充套件則能實現光子發射成像,以將晶片的主動區域視覺化。這些元件共同協助安全工程師識別洩漏源、定位感興趣的區域,並對元件行為獲得更深入的見解。
利用光學技術來觀測與分析半導體元件內的主動區域。
使用基於雷射的分析工具與發光顯微鏡功能執行高度針對性的調查。
Technology
Device Security
Wavelength
1310 nm, 1425 nm
最大輸出功率
130 mW 至 500 mW
附加功能
C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s
產品類型
Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set
使用這款配備 InGaAs 感測器和 GigE 介面的短波紅外線 (SWIR) 相機,可概覽您的晶片並精確找出故障注入的嘗試。
DS1210A 是一款具有非常精確功率輸出的連續波雷射光源。將其用於基於應用於側通道分析之故障分析方法學的側通道測量。
DS1211A 是一款具有非常精確功率輸出的連續波雷射光源。將其用於基於應用於側通道分析之故障分析方法學的側通道測量。
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光學分析使用專用雷射光源、成像系統和顯微鏡技術來觀測與探究半導體元件的內部行為。這些方法有助於安全工程師識別活動區域、定位洩漏源,並對安全性關鍵操作獲得更深入的見解。
功耗分析會量測功耗的變化,而電磁分析則會量測由元件活動產生的電磁發射。光學分析能夠深入觀察晶片的局部區域,讓工程師得以觀測特定電路區域內的活動,並以更精細的層級調查洩漏情形。
光學分析通常用於:
光學技術能夠針對晶片的特定區域提供可見度,而這些區域如果僅使用功率或電磁量測可能會難以調查。它們通常被用作互補的方法,有助於定位洩漏源並更深入了解裝置行為。
光學分析技術可用於調查:
是的。光學分析有助於定位裝置內表現出與安全性相關活動並可能導致側信道洩漏的區域。此資訊可用於指導使用光學、電磁或功率分析技術進一步調查。
不會。光學分析通常與功率和電磁分析搭配使用。這些技術結合起來可提供互補的見解,幫助安全團隊對裝置行為和潛在漏洞建立更完整的了解。