DS1131A

透過光學分析深入了解元件行為

光學分析技術透過光學觀測與量測,為探究半導體元件的內部行為提供了一種獨特的方法。結合專用雷射光源、發光顯微鏡功能以及精密的光學儀器,安全工程師能夠識別元件內的活動區域,並擷取可能揭露側信道洩漏或與安全性相關行為的資訊。

有別於觀察功耗或電磁發射的傳統側信道量測,失效分析方法利用光學技術來深入觀察晶片上的局部區域。這使得工程師能夠精確定位主動電路、識別潛在的洩漏源,並更深入了解晶片內部如何執行安全性關鍵操作。

這些技術常用於支援漏洞研究、對策驗證、認證準備以及先進的安全評估。從透過光子發射成像定位感興趣的區域,到使用精確控制的雷射光源執行光學側信道量測,失效分析工具不僅有助於更深入理解元件行為,還能支援更具針對性的安全調查。

一套完整的失效分析設置在單一工作流程中結合了光學量測、成像與定位功能。DS1101A 故障注入雷射系統是該解決方案的核心,為精確的光學調查提供平台。使用者可以新增 DS1210A 1310 nm 單模側信道雷射光源或 DS1211A 1425 nm 單模側信道雷射光源來執行光學側信道量測,而 DS1105A 發光顯微鏡雷射工作站轉接器和 DS1131A 發光顯微鏡擴充套件則能實現光子發射成像,以將晶片的主動區域視覺化。這些元件共同協助安全工程師識別洩漏源、定位感興趣的區域,並對元件行為獲得更深入的見解。

將元件活動視覺化

利用光學技術來觀測與分析半導體元件內的主動區域。

識別洩漏源

定位可能導致側信道洩漏的主動電路區域與潛在熱點。

支援先進的安全評估

透過對元件運作與行為的額外見解,來輔助功耗與電磁分析。

實現精確的光學量測

使用基於雷射的分析工具與發光顯微鏡功能執行高度針對性的調查。

產品影像
  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • 最大輸出功率

    130 mW 至 500 mW

  • 附加功能

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • 產品類型

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

常見問題