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As técnicas de análise óptica oferecem uma maneira única de investigar o comportamento interno de dispositivos semicondutores por meio da observação e medição ópticas. Ao combinar fontes de laser especializadas, recursos de microscopia de emissão e instrumentação óptica de precisão, os engenheiros de segurança podem identificar áreas de atividade dentro de um dispositivo e capturar informações que possam revelar vazamentos por canal lateral ou comportamentos relevantes para a segurança.
Ao contrário das medições tradicionais de canal lateral, que observam o consumo de energia ou as emissões eletromagnéticas, as metodologias de análise de falhas utilizam técnicas ópticas para obter visibilidade de regiões localizadas de um chip. Isso permite que os engenheiros localizem com precisão os circuitos ativos, identifiquem possíveis fontes de vazamento e compreendam melhor como as operações críticas para a segurança são executadas no silício.
Essas técnicas são comumente utilizadas para apoiar pesquisas sobre vulnerabilidades, validação de contramedidas, preparação para certificação e avaliações avançadas de segurança. Desde a localização de áreas de interesse por meio de imagens de emissão de fótons até a realização de medições ópticas de canal lateral com fontes de laser controladas com precisão, as ferramentas de análise de falhas ajudam a proporcionar uma compreensão mais profunda do comportamento dos dispositivos e apoiam investigações de segurança mais direcionadas.
Uma configuração completa para análise de falhas combina recursos de medição óptica, geração de imagens e localização em um único fluxo de trabalho. O Sistema de Laser de Injeção de Falhas DS1101A constitui o núcleo da solução, fornecendo a plataforma para uma investigação óptica precisa. Os usuários podem adicionar a fonte de laser de canal lateral monomodo DS1210A de 1310 nm ou a fonte de laser de canal lateral monomodo DS1211A de 1425 nm para realizar medições ópticas de canal lateral, enquanto o adaptador para estação de laser de microscopia de emissão DS1105A e o conjunto de extensão para microscopia de emissão DS1131A permitem a geração de imagens por emissão de fótons para visualizar regiões ativas do chip. Juntos, esses componentes ajudam os engenheiros de segurança a identificar fontes de vazamento, localizar áreas de interesse e obter uma compreensão mais profunda do comportamento do dispositivo.
Utilizar técnicas ópticas para observar e analisar áreas ativas em dispositivos semicondutores.
Realize investigações altamente direcionadas com ferramentas de análise baseadas em laser e recursos de microscopia de emissão.
Technology
Device Security
Wavelength
1310 nm, 1425 nm
Maximum output power
130 mW até 500 mW
Características adicionais
C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s
Product type
Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set
DS1131A
Use a câmera DS1131A AV GoldEye G-008 InGaAS para obter uma visão geral do seu chip e identificar tentativas de injeção de falhas.
Use esta câmera infravermelha de onda curta (SWIR) com sensor InGaAs e interface GigE para obter uma visão geral do seu chip e identificar tentativas de injeção de falhas.
DS1210A
Realize medições de canal lateral com este laser de diodo de onda contínua monomodo de 1310 nm.
O DS1210A é uma fonte de laser de onda contínua com potência de saída altamente precisa. Utilize-o para medições de canal lateral com base em metodologias de análise de falhas aplicadas à análise de canal lateral.
DS1211A
Realize medições de canal lateral com este laser de diodo de onda contínua monomodo de 1425 nm.
O DS1211A é uma fonte de laser de onda contínua com potência de saída altamente precisa. Utilize-o para medições de canal lateral com base em metodologias de análise de falhas aplicadas à análise de canal lateral.
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A análise óptica utiliza fontes de laser especializadas, sistemas de imagem e técnicas de microscopia para observar e investigar o comportamento interno de dispositivos semicondutores. Esses métodos ajudam os engenheiros de segurança a identificar áreas de atividade, localizar fontes de vazamento e obter uma compreensão mais profunda das operações críticas para a segurança.
A análise de potência mede as variações no consumo de energia, enquanto a análise eletromagnética mede as emissões eletromagnéticas geradas pela atividade do dispositivo. A análise óptica oferece visibilidade de regiões localizadas de um chip, permitindo que os engenheiros observem a atividade em áreas específicas do circuito e investiguem vazamentos com maior precisão.
A análise óptica é comumente utilizada para:
As técnicas ópticas podem proporcionar visibilidade de regiões específicas de um chip que podem ser difíceis de investigar utilizando apenas medições de potência ou eletromagnéticas. Elas são frequentemente utilizadas como metodologia complementar para ajudar a localizar fontes de vazamento e compreender melhor o comportamento do dispositivo.
As técnicas de análise óptica podem ser utilizadas para investigar:
Sim. A análise óptica pode ajudar a localizar áreas dentro de um dispositivo que apresentem atividades relevantes para a segurança e que possam contribuir para o vazamento por canal lateral. Essas informações podem ser utilizadas para orientar investigações mais aprofundadas, utilizando técnicas de análise óptica, eletromagnética ou de consumo de energia.
Não. A análise óptica é normalmente utilizada em conjunto com a análise de potência e a análise eletromagnética. Juntas, essas técnicas fornecem informações complementares que ajudam as equipes de segurança a construir uma compreensão mais completa do comportamento dos dispositivos e de possíveis vulnerabilidades.