DS1131A

Obtenha visibilidade sobre o comportamento dos dispositivos por meio da análise óptica

As técnicas de análise óptica oferecem uma maneira única de investigar o comportamento interno de dispositivos semicondutores por meio da observação e medição ópticas. Ao combinar fontes de laser especializadas, recursos de microscopia de emissão e instrumentação óptica de precisão, os engenheiros de segurança podem identificar áreas de atividade dentro de um dispositivo e capturar informações que possam revelar vazamentos por canal lateral ou comportamentos relevantes para a segurança.

Ao contrário das medições tradicionais de canal lateral, que observam o consumo de energia ou as emissões eletromagnéticas, as metodologias de análise de falhas utilizam técnicas ópticas para obter visibilidade de regiões localizadas de um chip. Isso permite que os engenheiros localizem com precisão os circuitos ativos, identifiquem possíveis fontes de vazamento e compreendam melhor como as operações críticas para a segurança são executadas no silício.

Essas técnicas são comumente utilizadas para apoiar pesquisas sobre vulnerabilidades, validação de contramedidas, preparação para certificação e avaliações avançadas de segurança. Desde a localização de áreas de interesse por meio de imagens de emissão de fótons até a realização de medições ópticas de canal lateral com fontes de laser controladas com precisão, as ferramentas de análise de falhas ajudam a proporcionar uma compreensão mais profunda do comportamento dos dispositivos e apoiam investigações de segurança mais direcionadas.

Uma configuração completa para análise de falhas combina recursos de medição óptica, geração de imagens e localização em um único fluxo de trabalho. O Sistema de Laser de Injeção de Falhas DS1101A constitui o núcleo da solução, fornecendo a plataforma para uma investigação óptica precisa. Os usuários podem adicionar a fonte de laser de canal lateral monomodo DS1210A de 1310 nm ou a fonte de laser de canal lateral monomodo DS1211A de 1425 nm para realizar medições ópticas de canal lateral, enquanto o adaptador para estação de laser de microscopia de emissão DS1105A e o conjunto de extensão para microscopia de emissão DS1131A permitem a geração de imagens por emissão de fótons para visualizar regiões ativas do chip. Juntos, esses componentes ajudam os engenheiros de segurança a identificar fontes de vazamento, localizar áreas de interesse e obter uma compreensão mais profunda do comportamento do dispositivo.

Visualizar a atividade do dispositivo

Utilizar técnicas ópticas para observar e analisar áreas ativas em dispositivos semicondutores.

Identificar fontes de vazamento

Identifique regiões ativas do circuito e possíveis pontos críticos que possam contribuir para o vazamento por canal lateral.

Suporte a avaliações avançadas de segurança

Complemente a análise de potência e eletromagnética com informações adicionais sobre o funcionamento e o comportamento do dispositivo.

Habilitar medições ópticas precisas

Realize investigações altamente direcionadas com ferramentas de análise baseadas em laser e recursos de microscopia de emissão.

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  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • Maximum output power

    130 mW até 500 mW

  • Características adicionais

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • Product type

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

Perguntas frequentes