DS1131A

Obtenga información sobre el comportamiento de los dispositivos mediante el análisis óptico

Las técnicas de análisis óptico ofrecen una forma única de investigar el comportamiento interno de los dispositivos semiconductores mediante la observación y la medición ópticas. Al combinar fuentes láser especializadas, capacidades de microscopía de emisión e instrumentación óptica de precisión, los ingenieros de seguridad pueden identificar zonas de actividad dentro de un dispositivo y recabar información que pueda revelar fugas por canales laterales o comportamientos relevantes para la seguridad.

A diferencia de las mediciones tradicionales de canal lateral, que analizan el consumo energético o las emisiones electromagnéticas, las metodologías de análisis de fallos utilizan técnicas ópticas para obtener información sobre regiones concretas de un chip. Esto permite a los ingenieros localizar con precisión los circuitos activos, identificar posibles fuentes de fugas y comprender mejor cómo se ejecutan las operaciones críticas para la seguridad dentro del silicio.

Estas técnicas se utilizan habitualmente para apoyar la investigación de vulnerabilidades, la validación de contramedidas, la preparación para la certificación y las evaluaciones de seguridad avanzadas. Desde la localización de áreas de interés mediante imágenes de emisión de fotones hasta la realización de mediciones ópticas de canal lateral con fuentes láser controladas con precisión, las herramientas de análisis de fallos ayudan a comprender mejor el comportamiento de los dispositivos y facilitan investigaciones de seguridad más específicas.

Una configuración completa para el análisis de fallos combina capacidades de medición óptica, obtención de imágenes y localización en un único flujo de trabajo. El sistema láser de inyección de fallos DS1101A constituye el núcleo de la solución, proporcionando la plataforma necesaria para un análisis óptico preciso. Los usuarios pueden añadir la fuente láser de canal lateral monomodo DS1210A de 1310 nm o la fuente láser de canal lateral monomodo DS1211A de 1425 nm para realizar mediciones ópticas de canal lateral, mientras que el adaptador para estación láser de microscopía de emisión DS1105A y el juego de extensión para microscopía de emisión DS1131A permiten la obtención de imágenes por emisión de fotones para visualizar las regiones activas del chip. En conjunto, estos componentes ayudan a los ingenieros de seguridad a identificar fuentes de fuga, localizar áreas de interés y obtener una visión más profunda del comportamiento de los dispositivos.

Visualizar la actividad de los dispositivos

Aprovechar las técnicas ópticas para observar y analizar las zonas activas de los dispositivos semiconductores.

Identificar las fuentes de fugas

Localiza las regiones activas del circuito y los posibles puntos críticos que puedan contribuir a la fuga por canales laterales.

Apoyo a las evaluaciones de seguridad de « Advanced »

Complementa el análisis de potencia y electromagnético con información adicional sobre el funcionamiento y el comportamiento de los dispositivos.

Permite realizar mediciones ópticas precisas

Realizar investigaciones muy específicas con herramientas de análisis basadas en láser y técnicas de microscopía de emisión.

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  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • Maximum output power

    130 mW to 500 mW

  • Additional features

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • Product type

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

Preguntas frecuentes