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Las técnicas de análisis óptico ofrecen una forma única de investigar el comportamiento interno de los dispositivos semiconductores mediante la observación y la medición ópticas. Al combinar fuentes láser especializadas, capacidades de microscopía de emisión e instrumentación óptica de precisión, los ingenieros de seguridad pueden identificar zonas de actividad dentro de un dispositivo y recabar información que pueda revelar fugas por canales laterales o comportamientos relevantes para la seguridad.
A diferencia de las mediciones tradicionales de canal lateral, que analizan el consumo energético o las emisiones electromagnéticas, las metodologías de análisis de fallos utilizan técnicas ópticas para obtener información sobre regiones concretas de un chip. Esto permite a los ingenieros localizar con precisión los circuitos activos, identificar posibles fuentes de fugas y comprender mejor cómo se ejecutan las operaciones críticas para la seguridad dentro del silicio.
Estas técnicas se utilizan habitualmente para apoyar la investigación de vulnerabilidades, la validación de contramedidas, la preparación para la certificación y las evaluaciones de seguridad avanzadas. Desde la localización de áreas de interés mediante imágenes de emisión de fotones hasta la realización de mediciones ópticas de canal lateral con fuentes láser controladas con precisión, las herramientas de análisis de fallos ayudan a comprender mejor el comportamiento de los dispositivos y facilitan investigaciones de seguridad más específicas.
Una configuración completa para el análisis de fallos combina capacidades de medición óptica, obtención de imágenes y localización en un único flujo de trabajo. El sistema láser de inyección de fallos DS1101A constituye el núcleo de la solución, proporcionando la plataforma necesaria para un análisis óptico preciso. Los usuarios pueden añadir la fuente láser de canal lateral monomodo DS1210A de 1310 nm o la fuente láser de canal lateral monomodo DS1211A de 1425 nm para realizar mediciones ópticas de canal lateral, mientras que el adaptador para estación láser de microscopía de emisión DS1105A y el juego de extensión para microscopía de emisión DS1131A permiten la obtención de imágenes por emisión de fotones para visualizar las regiones activas del chip. En conjunto, estos componentes ayudan a los ingenieros de seguridad a identificar fuentes de fuga, localizar áreas de interés y obtener una visión más profunda del comportamiento de los dispositivos.
Aprovechar las técnicas ópticas para observar y analizar las zonas activas de los dispositivos semiconductores.
Realizar investigaciones muy específicas con herramientas de análisis basadas en láser y técnicas de microscopía de emisión.
Technology
Device Security
Wavelength
1310 nm, 1425 nm
Maximum output power
130 mW to 500 mW
Additional features
C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s
Product type
Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set
DS1131A
Utilice la cámara DS1131A AV GoldEye G-008 InGaAS para obtener una visión general de su chip e identificar los intentos de inyección de fallos.
Utilice esta cámara de infrarrojos de onda corta (SWIR) con sensor InGaAs e interfaz GigE para obtener una visión general de su chip y detectar intentos de inyección de fallos.
DS1210A
Realice mediciones de canal lateral con este láser de diodo monomodo de onda continua de 1310 nm.
El DS1210A es una fuente láser de onda continua con una potencia de salida muy precisa. Se utiliza para realizar mediciones de canal lateral basadas en metodologías de análisis de fallos aplicadas al análisis de canal lateral.
DS1211A
Realiza mediciones de canal lateral con este láser de diodo monomodo de onda continua de 1425 nm.
El DS1211A es una fuente láser de onda continua con una potencia de salida muy precisa. Se utiliza para realizar mediciones de canal lateral basadas en metodologías de análisis de fallos aplicadas al análisis de canal lateral.
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El análisis óptico utiliza fuentes láser especializadas, sistemas de imagen y técnicas de microscopía para observar e investigar el comportamiento interno de los dispositivos semiconductores. Estos métodos ayudan a los ingenieros de seguridad a identificar áreas de actividad, localizar fuentes de fugas y obtener una visión más detallada de las operaciones críticas para la seguridad.
El análisis de potencia mide las variaciones en el consumo de energía, mientras que el análisis electromagnético mide las emisiones electromagnéticas generadas por la actividad del dispositivo. El análisis óptico ofrece visibilidad de regiones localizadas de un chip, lo que permite a los ingenieros observar la actividad en áreas específicas del circuito e investigar las fugas con mayor detalle.
El análisis óptico se utiliza habitualmente para:
Las técnicas ópticas permiten obtener información sobre regiones específicas de un chip que pueden resultar difíciles de analizar utilizando únicamente mediciones de potencia o electromagnéticas. A menudo se utilizan como metodología complementaria para ayudar a localizar fuentes de fuga y comprender mejor el comportamiento de los dispositivos.
Las técnicas de análisis óptico pueden utilizarse para investigar:
Sí. El análisis óptico puede ayudar a localizar áreas dentro de un dispositivo que muestren actividad relevante para la seguridad y que puedan contribuir a la filtración por canal lateral. Esta información puede utilizarse para orientar investigaciones posteriores mediante técnicas de análisis óptico, electromagnético o de consumo energético.
No. El análisis óptico suele utilizarse junto con el análisis de potencia y el análisis electromagnético. En conjunto, estas técnicas aportan información complementaria que ayuda a los equipos de seguridad a comprender mejor el comportamiento de los dispositivos y sus posibles vulnerabilidades.