DS1131A

Obtenir une meilleure visibilité sur le comportement des appareils grâce à l'analyse optique

Les techniques d'analyse optique offrent un moyen unique d'étudier le comportement interne des dispositifs à semi-conducteurs grâce à l'observation et à la mesure optiques. En combinant des sources laser spécialisées, des capacités de microscopie d'émission et des instruments optiques de précision, les ingénieurs en sécurité peuvent identifier les zones d'activité au sein d'un dispositif et recueillir des informations susceptibles de révéler des fuites par canal latéral ou des comportements pertinents en matière de sécurité.

Contrairement aux mesures traditionnelles par canal latéral, qui s'appuient sur l'observation de la consommation d'énergie ou des émissions électromagnétiques, les méthodologies d'analyse des défaillances exploitent des techniques optiques pour obtenir une visibilité sur des zones localisées d'une puce. Cela permet aux ingénieurs de localiser avec précision les circuits actifs, d'identifier les sources potentielles de fuites et de mieux comprendre comment les opérations critiques pour la sécurité sont exécutées au sein du silicium.

Ces techniques sont couramment utilisées pour faciliter la recherche sur les vulnérabilités, la validation des contre-mesures, la préparation à la certification et les évaluations de sécurité avancées. Qu'il s'agisse de localiser des zones d'intérêt grâce à l'imagerie par émission de photons ou d'effectuer des mesures de canaux latéraux optiques à l'aide de sources laser contrôlées avec précision, les outils d'analyse des défaillances permettent de mieux comprendre le comportement des dispositifs et facilitent la conduite d'enquêtes de sécurité plus ciblées.

Une configuration complète d'analyse des défaillances combine des capacités de mesure optique, d'imagerie et de localisation au sein d'un seul flux de travail. Le système laser d'injection de défauts DS1101A constitue le cœur de la solution, offrant une plateforme pour une analyse optique précise. Les utilisateurs peuvent ajouter soit la source laser à canal latéral monomode DS1210A à 1 310 nm, soit la source laser à canal latéral monomode DS1211A à 1 425 nm pour effectuer des mesures optiques par canal latéral, tandis que l’adaptateur pour station laser de microscopie d’émission DS1105A et le kit d’extension pour microscopie d’émission DS1131A permettent l’imagerie par émission de photons afin de visualiser les zones actives de la puce. Ensemble, ces composants aident les ingénieurs en sécurité à identifier les sources de fuites, à localiser les zones d’intérêt et à mieux comprendre le comportement des dispositifs.

Visualiser l'activité des appareils

Utiliser des techniques optiques pour observer et analyser les zones actives au sein des dispositifs à semi-conducteurs.

Identifier les sources de fuites

Identifier les zones actives du circuit et les points sensibles potentiels susceptibles de contribuer aux fuites par canal latéral.

Assistance aux évaluations de sécurité d'Advanced

Complétez l'analyse de la puissance et des caractéristiques électromagnétiques par des informations supplémentaires sur le fonctionnement et le comportement des dispositifs.

Permettre des mesures optiques précises

Réaliser des analyses très ciblées à l'aide d'outils d'analyse par laser et de techniques de microscopie à émission.

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  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • Maximum output power

    130 mW to 500 mW

  • Additional features

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • Product type

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

Questions fréquemment posées