DS1131A

Einblick in das Geräteverhalten durch optische Analyse gewinnen

Optische Analyseverfahren bieten eine einzigartige Möglichkeit, das interne Verhalten von Halbleiterbauelementen durch optische Beobachtung und Messung zu untersuchen. Durch die Kombination spezialisierter Laserquellen, Emissionsmikroskopie und präziser optischer Instrumente können Sicherheitsexperten Aktivitätsbereiche innerhalb eines Bauelements identifizieren und Informationen erfassen, die auf Seitenkanalleckagen oder sicherheitsrelevantes Verhalten hinweisen können.

Im Gegensatz zu herkömmlichen Seitenkanalmessungen, die den Stromverbrauch oder elektromagnetische Emissionen erfassen, nutzen Fehleranalysemethoden optische Verfahren, um Einblicke in lokalisierte Bereiche eines Chips zu gewinnen. Dies ermöglicht es Ingenieuren, aktive Schaltkreise präzise zu lokalisieren, potenzielle Leckagequellen zu identifizieren und besser zu verstehen, wie sicherheitskritische Vorgänge in Silizium ausgeführt werden.

Diese Techniken werden häufig zur Unterstützung von Schwachstellenanalysen, der Validierung von Gegenmaßnahmen, der Zertifizierungsvorbereitung und fortgeschrittenen Sicherheitsbewertungen eingesetzt. Von der Lokalisierung relevanter Bereiche mittels Photonenemissionsbildgebung bis hin zur Durchführung optischer Seitenkanalmessungen mit präzise gesteuerten Laserquellen tragen Werkzeuge zur Fehleranalyse zu einem tieferen Verständnis des Geräteverhaltens bei und unterstützen gezieltere Sicherheitsuntersuchungen.

Ein komplettes System zur Fehleranalyse vereint optische Messung, Bildgebung und Lokalisierung in einem einzigen Workflow. Das DS1101A Fehlerinjektionslasersystem bildet das Herzstück der Lösung und ermöglicht präzise optische Untersuchungen. Anwender können die DS1210A 1310 nm Single-Mode-Seitenkanallaserquelle oder die DS1211A 1425 nm Single-Mode-Seitenkanallaserquelle für optische Seitenkanalmessungen hinzufügen. Der DS1105A Emissionsmikroskopie-Laserstationsadapter und das DS1131A Emissionsmikroskopie-Erweiterungsset ermöglichen die Photonenemissionsbildgebung zur Visualisierung aktiver Bereiche des Chips. Zusammen unterstützen diese Komponenten Sicherheitsexperten bei der Identifizierung von Leckagequellen, der Lokalisierung relevanter Bereiche und dem tieferen Einblick in das Geräteverhalten.

Geräteaktivität visualisieren

Optische Verfahren werden genutzt, um aktive Bereiche in Halbleiterbauelementen zu beobachten und zu analysieren.

Leckagequellen identifizieren

Lokalisieren Sie aktive Schaltkreisbereiche und potenzielle Hotspots, die zu Seitenkanalleckagen beitragen könnten.

Unterstützung Advanced Sicherheitsbewertungen

Ergänzen Sie die Leistungs- und elektromagnetische Analyse durch zusätzliche Einblicke in die Funktionsweise und das Verhalten des Geräts.

Präzise optische Messungen ermöglichen

Führen Sie hochgradig zielgerichtete Untersuchungen mit laserbasierten Analysemethoden und Emissionsmikroskopie durch.

Produktbild
  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • Maximum output power

    130 mW bis 500 mW

  • Additional features

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • Product type

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

Häufig gestellte Fragen