DS1131A

光学分析を通じてデバイスの挙動を可視化する

光学解析技術は、光学的な観察や測定を通じて半導体デバイスの内部挙動を調査する独自の手段を提供します。専用のレーザー光源、発光顕微鏡機能、および高精度な光学計測機器を組み合わせることで、セキュリティエンジニアはデバイス内の活動領域を特定し、サイドチャネル漏洩やセキュリティに関連する挙動を明らかにする情報を取得することができます。

消費電力や電磁放射を観測する従来のサイドチャネル測定とは異なり、故障解析手法では光学技術を活用して、チップの特定領域を可視化します。これにより、エンジニアは動作中の回路を特定し、潜在的なリーク源を突き止め、シリコン内部でセキュリティ上重要な処理がどのように実行されているかをより深く理解することが可能になります。

これらの技術は、脆弱性調査、対策の検証、認証準備、および高度なセキュリティ評価を支援するために広く活用されています。光子放出イメージングによる関心領域の特定から、精密に制御されたレーザー光源を用いた光サイドチャネル測定の実施に至るまで、故障解析ツールはデバイスの挙動に対する理解を深め、より的を絞ったセキュリティ調査を支援します。

完全な故障解析システムは、光学測定、イメージング、および位置特定機能を単一のワークフロー内に統合したものです。DS1101A 故障注入レーザーシステムは、このソリューションの中核を成し、精密な光学調査のためのプラットフォームを提供します。 ユーザーは、DS1210A 1310 nm シングルモード・サイドチャネル・レーザー光源またはDS1211A 1425 nm シングルモード・サイドチャネル・レーザー光源のいずれかを追加して、光学サイドチャネル測定を行うことができます。また、DS1105A 発光顕微鏡用レーザーステーションアダプタおよびDS1131A 発光顕微鏡用拡張セットを使用することで、光子発光イメージングを行い、チップのアクティブ領域を可視化することが可能です。 これらのコンポーネントを組み合わせることで、セキュリティエンジニアは漏洩源の特定、関心領域の特定、およびデバイスの挙動に関するより深い知見を得ることができます。

デバイスのアクティビティを可視化する

光学技術を駆使して、半導体デバイス内の活性領域を観測・分析する。

漏洩源を特定する

サイドチャネル漏れの一因となり得る、アクティブな回路領域や潜在的なホットスポットを特定する。

高度なセキュリティ評価のサポート

電力および電磁界解析に加え、デバイスの動作や挙動に関するさらなる知見を得ることができます。

高精度な光学測定を実現

レーザーを用いた分析ツールや発光顕微鏡機能を活用し、極めて的を絞った調査を実施します。

製品画像
  • Technology

    Device Security

  • Wavelength

    1310 nm, 1425 nm

  • 最大出力

    130 mW ~ 500 mW

  • 追加機能

    C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s

  • (SPD)N6700の製品タイプ

    Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set

よくあるご質問