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光学的解析によるデバイス動作の可視化
光学的解析手法は、光学的観察と測定を通じて半導体デバイスの内部動作を調査するための独自の手段を提供します。専用のレーザー光源、発光顕微鏡機能、および高精度な光学測定器を組み合わせることにより、セキュリティエンジニアはデバイス内のアクティビティ領域を特定し、サイドチャネルリークやセキュリティに関連する動作を明らかにする情報を取得できます。
消費電力や電磁放射を観測する従来のサイドチャネル測定とは異なり、故障解析手法では光学的技術を活用してチップの局所領域を可視化します。これにより、エンジニアはアクティブな回路の特定、潜在的なリーク源の特定、およびシリコン内でのセキュリティ上重要な処理の実行方法のより深い理解が可能になります。
これらの技術は、脆弱性研究、対策の検証、認証準備、および高度なセキュリティ評価をサポートするために一般的に使用されています。フォトン発光イメージングによる関心領域の特定から、精密に制御されたレーザー光源を用いた光学的サイドチャネル測定の実行まで、故障解析ツールはデバイスの動作に対する深い理解を促進し、よりターゲットを絞ったセキュリティ調査を支援します。
完全な故障解析セットアップは、光学測定、イメージング、および局所化の機能を単一のワークフローに統合します。DS1101A フォルトインジェクションレーザーシステムがソリューションの中核をなし、高精度な光学調査のためのプラットフォームを提供します。ユーザーは、DS1210A 1310 nm シングルモード サイドチャネルレーザー光源または DS1211A 1425 nm シングルモード サイドチャネルレーザー光源を追加して光学的サイドチャネル測定を実行でき、一方、DS1105A 発光顕微鏡レーザー局所化アダプタと DS1131A 発光顕微鏡拡張セットにより、フォトン発光イメージングによるチップのアクティブ領域の可視化が可能になります。これらのコンポーネントが一体となって、セキュリティエンジニアによるリーク源の特定、関心領域の位置特定、およびデバイス動作に関するより深い洞察の獲得をサポートします。
デバイスアクティビティの可視化
光学的技術を活用して、半導体デバイス内のアクティブ領域を観測および解析します。
リーク源の特定
高度なセキュリティ評価のサポート
高精度な光学測定の実現
レーザーベースの解析ツールと発光顕微鏡機能により、高度にターゲットを絞った調査を実行します。
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Technology
Device Security
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Wavelength
1310 nm, 1425 nm
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最大出力
130 mW ～ 500 mW
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追加機能
C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s
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（SPD）N6700の製品タイプ
Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set
最も一般的な構成
AV GoldEye G-008 InGaASカメラ
1310 nmシングルモードサイドチャネルレーザー光源
1425 nm シングルモード サイドチャネルレーザー光源
サービスとサポート
厳選されたサポートプランと、優先的な対応および迅速なターンアラウンドタイムにより、迅速なイノベーションを実現します。
予測可能なリースベースのサブスクリプションとフルライフサイクル管理ソリューションにより、ビジネス目標をより迅速に達成できます。
KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
テストシステムが仕様どおりに動作し、ローカルおよびグローバルな標準に準拠していることを保証します。
社内での講師主導トレーニングやeラーニングにより、迅速に測定を実施できます。
キーサイトのソフトウェアをダウンロードするか、最新バージョンにアップデートしてください。
よくあるご質問
光学的解析では、専用のレーザー光源、イメージングシステム、および顕微鏡技術を使用して、半導体デバイスの内部動作を観測・調査します。これらの手法は、セキュリティエンジニアがアクティビティ領域を特定し、リーク源の位置を突き止め、セキュリティ上重要な動作に関するより深い洞察を得るのに役立ちます。
電力解析は消費電力の変動を測定し、電磁解析はデバイスの動作によって生成される電磁放射を測定します。光学的解析はチップの局所領域を可視化するため、エンジニアは特定回路領域内のアクティビティを観測し、より微細なレベルでリークを調査することができます。
光学的解析は一般的に以下の用途に使用されます：
- 脆弱性研究
- サイドチャネル解析
- 対策の検証
- 認証準備
- 半導体セキュリティ調査
- ハードウェアセキュリティ研究
光手法により、電力や電磁界測定のみでは調査が困難なチップの特定領域を可視化することができます。これらは、漏洩源の特定とデバイス動作のより深い理解を支援する補完的な手法としてよく使用されます。
光解析手法は、以下の調査に使用できます：
- セキュアエレメント
- スマートカード
- マイクロコントローラ
- System-on-Chip (SoC) デバイス
- 暗号プロセッサ
- その他のセキュリティ上重要な半導体デバイス
はい。光解析は、デバイス内でセキュリティ関連のアクティビティを示し、サイドチャネル漏洩の原因となり得る領域を特定するのに役立ちます。この情報は、光解析、電磁界解析、または電力解析手法を用いたさらなる調査の指針として活用できます。
いいえ。光解析は通常、電力解析や電磁界解析と併用されます。これらの手法を組み合わせることで、セキュリティチームはデバイスの動作や潜在的な脆弱性について、より完全な理解を得るための補完的な洞察を得ることができます。