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光学解析技術は、光学的な観察や測定を通じて半導体デバイスの内部挙動を調査する独自の手段を提供します。専用のレーザー光源、発光顕微鏡機能、および高精度な光学計測機器を組み合わせることで、セキュリティエンジニアはデバイス内の活動領域を特定し、サイドチャネル漏洩やセキュリティに関連する挙動を明らかにする情報を取得することができます。
消費電力や電磁放射を観測する従来のサイドチャネル測定とは異なり、故障解析手法では光学技術を活用して、チップの特定領域を可視化します。これにより、エンジニアは動作中の回路を特定し、潜在的なリーク源を突き止め、シリコン内部でセキュリティ上重要な処理がどのように実行されているかをより深く理解することが可能になります。
これらの技術は、脆弱性調査、対策の検証、認証準備、および高度なセキュリティ評価を支援するために広く活用されています。光子放出イメージングによる関心領域の特定から、精密に制御されたレーザー光源を用いた光サイドチャネル測定の実施に至るまで、故障解析ツールはデバイスの挙動に対する理解を深め、より的を絞ったセキュリティ調査を支援します。
完全な故障解析システムは、光学測定、イメージング、および位置特定機能を単一のワークフロー内に統合したものです。DS1101A 故障注入レーザーシステムは、このソリューションの中核を成し、精密な光学調査のためのプラットフォームを提供します。 ユーザーは、DS1210A 1310 nm シングルモード・サイドチャネル・レーザー光源またはDS1211A 1425 nm シングルモード・サイドチャネル・レーザー光源のいずれかを追加して、光学サイドチャネル測定を行うことができます。また、DS1105A 発光顕微鏡用レーザーステーションアダプタおよびDS1131A 発光顕微鏡用拡張セットを使用することで、光子発光イメージングを行い、チップのアクティブ領域を可視化することが可能です。 これらのコンポーネントを組み合わせることで、セキュリティエンジニアは漏洩源の特定、関心領域の特定、およびデバイスの挙動に関するより深い知見を得ることができます。
光学技術を駆使して、半導体デバイス内の活性領域を観測・分析する。
レーザーを用いた分析ツールや発光顕微鏡機能を活用し、極めて的を絞った調査を実施します。
Technology
Device Security
Wavelength
1310 nm, 1425 nm
最大出力
130 mW ~ 500 mW
追加機能
C-mount adapter for camera, 320 (H) x 256 (V) pixels with 30 in pixel size, squared, Active sensor size 9.6 mm x 7.7 mm, Frame rate 344 frames/s
(SPD)N6700の製品タイプ
Side channel laser source, Camera mount adapter, SWIR camera extension set
DS1131A
DS1131A AV GoldEye G-008 InGaASカメラを使用して、チップの概要を把握し、故障注入の試みを特定します。
InGaAsセンサーとGigEインターフェースを備えたこの短波赤外線 (SWIR) カメラを使用して、チップの概要を把握し、故障注入の試みを特定します。
DS1210A
この1310 nmシングルモード連続波ダイオードレーザーを使用して、サイドチャネル測定を実行します。
DS1210Aは、非常に高精度な出力を持つ連続波レーザー光源です。サイドチャネル解析に適用される故障解析手法に基づいたサイドチャネル測定に利用します。
DS1211A
この1425 nmのシングルモード連続波ダイオードレーザーを使用して、サイドチャネル測定を行ってください。
DS1211Aは、出力精度が非常に高い連続波レーザー光源です。サイドチャネル解析に適用される故障解析手法に基づくサイドチャネル測定にご利用ください。
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光学解析では、専用のレーザー光源、撮像システム、および顕微鏡技術を用いて、半導体デバイスの内部挙動を観察・調査します。これらの手法により、セキュリティエンジニアは、アクティビティが発生している領域を特定し、リークの発生源を突き止め、セキュリティ上重要な動作についてより深い洞察を得ることができます。
消費電力解析は消費電力の変動を測定する一方、電磁解析はデバイスの動作によって発生する電磁放射を測定します。光学解析はチップの特定領域を可視化するため、エンジニアは特定の回路領域内の動作を観察し、より詳細なレベルでリーク電流を調査することができます。
光学分析は、一般的に次のような用途に用いられます:
光学的手法を用いることで、電力測定や電磁気測定のみでは調査が困難なチップの特定の領域を可視化することができます。これらは、リーク電流の発生源を特定し、デバイスの挙動をより深く理解するための補完的な手法として、しばしば用いられています。
光学分析手法は、以下の調査に活用することができます:
はい。光学解析は、デバイス内でセキュリティに関連する活動が見られ、サイドチャネル漏洩の一因となり得る領域を特定するのに役立ちます。この情報は、光学解析、電磁解析、あるいは電力解析の手法を用いたさらなる調査の指針として活用できます。
いいえ。光学解析は通常、電力解析や電磁気解析と併せて使用されます。これらの手法を組み合わせることで、相互に補完し合う知見が得られ、セキュリティチームがデバイスの動作や潜在的な脆弱性について、より包括的な理解を深めるのに役立ちます。