如何測量 SiC MOSFET 的 Vth

索取報價
功率元件分析儀
+ 功率元件分析儀
功率元件分析儀
+ 功率元件分析儀

穩定的 SiC Vth 特性分析

碳化矽 (SiC) 功率金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 臨界電壓量測比傳統矽基 FET 特性分析更困難，因為遲滯效應會導致 Vth 隨先前的閘極偏壓條件而變化。應用說明顯示，即使量測電路不變，不同的調節脈衝也會產生不同的擷取臨界電壓，使得可重複的元件評估變得困難。

為了解決此問題，JEP183 建議在量測前施加正向調節脈衝，以使陷阱電荷在 Vth 擷取期間保持受控狀態。Keysight 解決方案基於 B1505A/B1506A 搭配 EasyEXPERT group+，以及 B2902C 源量測單元搭配 PathWave IV 曲線量測軟體，可協助工程師實作這些工作流程，以實現更穩定、準確且應用就緒的 SiC MOSFET 特性分析。

SiC MOSFET 閾值電壓 (Vth) 測量解決方案

SiC MOSFET 臨界電壓特性分析需要受控的量測技術，以最大程度地減少遲滯效應並確保穩定、可重複的結果。Keysight 支援使用 B1505A/B1506A 功率元件分析儀/曲線追蹤器上的現成應用測試，以及使用 B2902C 專業桌上型源量測單元和 PW9251A PathWave IV 曲線量測軟體進行高速波形驅動量測，以實現基於 JEP183 的臨界電壓 (Vth) 特性分析。這些方法使工程師能夠減少變異性、擷取一致的 Vth 值並最佳化量測工作流程。它們共同提供了靈活性，以平衡易用性、測試速度和系統整合要求，從而實現進階元件特性分析。
索取報價

探索我們的 SiC MOSFET Vth 量測解決方案產品

相關應用案例

如何最大化功率放大器的效率與線性度

最大化功率放大器 (PA) 線性度，同時保持效率，需要一種稱為數位預失真 (DPD) 的線性化技術。為提供最佳性能，DPD 技術需要寬頻、經校準的向量信號產生與信號分析。

了解更多

如何評估 LED 的 IV 特性

執行高性能 LED 的電流與電壓特性分析時，需要產生並量測電流與電壓的功能。 了解如何僅使用電源量測設備來評估二端和三端元件的 IV 特性。

了解更多

如何測試寬禁帶半導體

寬能隙 (WGB) 半導體特性分析，需要測試靜態和動態參數以避免損耗。了解如何重複執行 WBG 裝置的 JEDEC 測試，包括開啟/關閉、切換和其他標準化測試。

了解更多

聯絡我們標誌

聯絡我們的一位專家

需要協助尋找適合您的解決方案嗎？

與我們聯絡