Como medir a tensão Vth de um MOSFET de SiC

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Caracterização estável do Vth do SiC

A medição da tensão de limiar de transistores de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência de carboneto de silício (SiC) é mais difícil do que a caracterização de FETs convencionais à base de silício, pois a histerese faz com que a Vth varie de acordo com as condições de polarização da porta anteriores. A nota de aplicação mostra que, mesmo quando o circuito de medição permanece inalterado, pulsos de condicionamento diferentes podem produzir tensões de limiar extraídas diferentes, dificultando a avaliação repetível do dispositivo.

Para resolver essa questão, a JEP183 recomenda a aplicação de um pulso de condicionamento positivo antes da medição, de modo que a carga retida permaneça em um estado controlado durante a extração de Vth. As soluções da Keysight baseadas nos modelos B1505A/B1506A com o EasyEXPERT group+ e na fonte de medição B2902C com o software de medição de curvas PathWave IV ajudam os engenheiros a implementar esses fluxos de trabalho para uma caracterização de MOSFETs de SiC mais estável, precisa e pronta para aplicação.

Solução para medição do Vth de MOSFETs de SiC

A caracterização da tensão de limiar (Vth) de MOSFETs de SiC requer técnicas de medição controladas para minimizar os efeitos de histerese e garantir resultados estáveis e repetíveis. A Keysight oferece suporte à caracterização da tensão de limiar (Vth) baseada na norma JEP183 por meio de testes de aplicação prontos para execução no Analisador de Dispositivos de Potência B1505A/B1506A / Curve Tracer, bem como medições de alta velocidade orientadas por formas de onda com as Unidades de Medição de Fonte de Bancada Expert B2902C e o Software de Medição de Curvas PathWave IV PW9251A. Essas abordagens permitem que os engenheiros reduzam a variabilidade, extraiam valores consistentes de Vth e otimizem os fluxos de trabalho de medição. Juntas, elas oferecem flexibilidade para equilibrar a facilidade de uso, a velocidade de teste e os requisitos de integração do sistema para a caracterização avançada de dispositivos.
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