SiC MOSFETのVthの測定方法

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SiCのVth特性の安定した評価

炭化ケイ素（SiC）パワーMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）のしきい値電圧測定は、ヒステリシスによりVthが以前のゲートバイアス条件に応じて変化するため、従来のシリコン系FETの特性評価よりも困難です。本アプリケーションノートでは、測定回路を変更しなくても、コンディショニングパルスの違いによって抽出されるしきい値電圧が異なり、デバイスの再現性のある評価が困難になることを示しています。

この問題に対処するため、JEP183では、測定前に正のコンディショニングパルスを印加し、Vth測定中にトラップされた電荷が制御された状態を維持するよう推奨しています。EasyEXPERT group+を搭載したB1505A/B1506A、およびPathWave IVカーブ測定ソフトウェアを搭載したB2902Cソース・メジャー・ソースを基盤とするキーサイトのソリューションは、エンジニアがこれらのワークフローを実装し、より安定かつ正確で、実用的なSiC MOSFETの特性評価を実現するのに役立ちます。

SiC MOSFETのVth測定ソリューション

SiC MOSFETのしきい値電圧を評価するには、ヒステリシス効果を最小限に抑え、安定した再現性のある結果を確保するための制御された測定技術が必要です。キーサイトは、B1505A/B1506A パワーデバイスアナライザおよび カーブトレーサー）での即実行可能なアプリケーション・テストに加え、B2902C Expert Benchtop Source Measure UnitsおよびPW9251A PathWave IVカーブ測定ソフトウェアを用いた高速波形駆動測定をサポートしています。これらのアプローチにより、エンジニアはばらつきを低減し、一貫したVth値を抽出するとともに、測定ワークフローを最適化できます。これらを組み合わせることで、高度なデバイス特性評価において、使いやすさ、テスト速度、システム統合要件のバランスをとる柔軟性が提供されます。
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