SiC MOSFETのVthの測定方法

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安定したSiC Vth特性評価

炭化ケイ素(SiC)パワーMOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)のしきい値電圧測定は、ヒステリシスによりVthが以前のゲートバイアス条件によってシフトするため、従来のシリコンベースFETの特性評価よりも困難です。アプリケーションノートでは、測定回路が変更されていない場合でも、異なるコンディショニングパルスによって異なる抽出されたしきい値電圧が生成される可能性があり、デバイスの再現性のある評価が困難になることを示しています。

この問題に対処するため、JEP183では、測定前に正のコンディショニングパルスを印加することを推奨しています。これにより、Vth抽出中にトラップされた電荷が制御された状態に保たれます。EasyEXPERT group+を搭載したB1505A/B1506Aに基づくキーサイトのソリューションと、PathWave IV Curve Measurement Softwareを搭載したB2902Cソース・メジャー・ユニットは、エンジニアがこれらのワークフローを実装するのに役立ち、より安定した、正確で、アプリケーションに対応したSiC MOSFETの特性評価を可能にします。

SiC MOSFETのVth測定ソリューション

SiC MOSFETのしきい値電圧の特性評価には、ヒステリシス効果を最小限に抑え、安定した再現性のある結果を保証するために、制御された測定技術が必要です。キーサイトは、B1505A/B1506Aパワー・デバイス・アナライザ/カーブ・トレーサのすぐに実行可能なアプリケーションテスト、およびB2902C Expert ベンチトップ ソース・メジャー・ユニットとPW9251A PathWave IV Curve Measurement Softwareによる高速波形駆動測定を使用して、JEP183に基づくしきい値電圧(Vth)特性評価をサポートしています。これらのアプローチにより、エンジニアはばらつきを減らし、一貫したVth値を抽出し、測定ワークフローを最適化できます。これらを組み合わせることで、高度なデバイス特性評価において、使いやすさ、テスト速度、システム統合要件のバランスを取る柔軟性を提供します。
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