SiC MOSFET의 Vth 측정 방법

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안정적인 SiC Vth 특성화

실리콘 카바이드(SiC) 전력 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 문턱 전압 측정은 이력 현상으로 인해 이전 게이트 바이어스 조건에 따라 Vth가 이동하므로 기존 실리콘 기반 FET 특성화보다 더 어렵습니다. 애플리케이션 노트는 측정 회로가 변경되지 않은 경우에도 다른 컨디셔닝 펄스가 다른 추출된 문턱 전압을 생성하여 반복 가능한 디바이스 평가를 어렵게 만든다는 것을 보여줍니다.

이를 해결하기 위해 JEP183은 측정 전에 양의 컨디셔닝 펄스를 인가하여 Vth 추출 중에 트랩된 전하가 제어된 상태로 유지되도록 권장합니다. EasyEXPERT group+가 포함된 B1505A/B1506A 및 PathWave IV Curve Measurement Software가 포함된 B2902C 소스 측정 소스를 기반으로 하는 키사이트 솔루션은 엔지니어가 보다 안정적이고 정확하며 애플리케이션에 바로 적용 가능한 SiC MOSFET 특성화를 위한 이러한 워크플로를 구현하도록 돕습니다.

SiC MOSFET Vth 측정 솔루션

SiC MOSFET 문턱 전압을 특성화하려면 이력 현상 효과를 최소화하고 안정적이며 반복 가능한 결과를 보장하기 위해 제어된 측정 기술이 필요합니다. 키사이트는 B1505A/B1506A 전력 디바이스 분석기/곡선 추적기에서 바로 실행 가능한 애플리케이션 테스트를 사용하여 JEP183 기반 문턱 전압(Vth) 특성화를 지원하며, B2902C Expert 벤치탑 소스 측정 장치 및 PW9251A PathWave IV Curve Measurement Software를 사용한 고속 파형 구동 측정 또한 지원합니다. 이러한 접근 방식은 엔지니어가 가변성을 줄이고 일관된 Vth 값을 추출하며 측정 워크플로를 최적화할 수 있도록 합니다. 이들은 함께 고급 디바이스 특성화를 위한 사용 편의성, 테스트 속도 및 시스템 통합 요구 사항의 균형을 맞출 수 있는 유연성을 제공합니다.
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