SiC MOSFET의 Vth 측정 방법

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안정적인 SiC Vth 특성 분석

실리콘 카바이드(SiC) 파워 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 역전압 측정 작업은 히스테리시스 현상으로 인해 Vth가 이전 게이트 바이어스 조건에 따라 변동하기 때문에, 기존의 실리콘 기반 FET 특성 분석보다 더 어렵습니다. 이 애플리케이션 노트에서는 측정 회로가 동일하더라도 컨디셔닝 펄스의 차이에 따라 추출되는 역전압 값이 달라질 수 있어, 소자의 재현성 있는 평가가 어렵다는 점을 보여줍니다.

이러한 문제를 해결하기 위해 JEP183은 측정 전에 양의 컨디셔닝 펄스를 적용하여 Vth 추출 과정에서 포획된 전하가 제어된 상태를 유지하도록 권장합니다. EasyEXPERT group+가 탑재된 B1505A/B1506A 및 PathWave IV 곡선 측정 소프트웨어가 포함된 B2902C 소스 측정기를 기반으로 하는 키사이트(Keysight) 솔루션은 엔지니어들이 이러한 워크플로를 구현하여 보다 안정적이고 정확하며 즉시 적용 가능한 SiC MOSFET 특성 분석이 가능하도록 지원합니다.

SiC MOSFET Vth 측정 솔루션

SiC MOSFET의 임계 전압을 특성 분석하려면 히스테리시스 효과를 최소화하고 안정적이며 재현성 높은 결과를 보장하기 위한 정밀한 측정 기법이 필요합니다. 키사이트는 B1505A/B1506A 파워 디바이스 분석기 및 커브 트레이서(Curve Tracer)에서 바로 실행 가능한 애플리케이션 테스트를 활용할 뿐만 아니라, B2902C Expert 벤치탑 소스 측정 장치(Source Measure Units) 및 PW9251A PathWave IV 커브 측정 소프트웨어를 이용한 고속 파형 기반 측정도 지원합니다. 이러한 접근 방식을 통해 엔지니어는 변동성을 줄이고 일관된 Vth 값을 도출하며 측정 워크플로를 최적화할 수 있습니다. 이 모든 기능은 첨단 소자 특성 분석에 필요한 사용 편의성, 테스트 속도 및 시스템 통합 요구 사항 간의 균형을 맞출 수 있는 유연성을 제공합니다.

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