Cómo medir el Vth de un MOSFET de SiC

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Caracterización estable del Vth del SiC

La medición de la tensión umbral de los transistores de efecto de campo de óxido metálico y semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) resulta más complicada que la caracterización de los FET convencionales basados en silicio, ya que la histéresis provoca que la tensión Vth varíe en función de las condiciones previas de polarización de la puerta. La nota de aplicación muestra que, incluso cuando el circuito de medición no se modifica, el uso de diferentes pulsos de acondicionamiento puede dar lugar a tensiones umbral extraídas distintas, lo que dificulta la evaluación repetible del dispositivo.

Para solucionar esto, la JEP183 recomienda aplicar un pulso de acondicionamiento positivo antes de la medición, de modo que la carga atrapada permanezca en un estado controlado durante la extracción de Vth. Las soluciones de Keysight basadas en los modelos B1505A/B1506A con EasyEXPERT group+ y la fuente de medida B2902C con el software de medición de curvas PathWave IV ayudan a los ingenieros a implementar estos flujos de trabajo para lograr una caracterización de los MOSFET de SiC más estable, precisa y lista para su aplicación.

Solución para la medición de Vth en MOSFET de SiC

La caracterización del voltaje umbral de los MOSFET de SiC requiere técnicas de medición controladas para minimizar los efectos de histéresis y garantizar resultados estables y repetibles. Keysight permite la caracterización del voltaje umbral (Vth) basada en la norma JEP183 mediante pruebas de aplicación listas para ejecutar en el analizador de dispositivos de potencia B1505A/B1506A / Curve Tracer, así como mediciones de alta velocidad basadas en formas de onda con las unidades de medida de fuente Expert B2902C Expert y el software de medición de curvas PW9251A PathWave IV. Estos enfoques permiten a los ingenieros reducir la variabilidad, obtener valores de Vth consistentes y optimizar los flujos de trabajo de medición. En conjunto, proporcionan la flexibilidad necesaria para equilibrar la facilidad de uso, la velocidad de prueba y los requisitos de integración del sistema para la caracterización avanzada de dispositivos.
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