Come misurare la tensione Vth di un MOSFET in SiC
Caratterizzazione stabile della tensione Vth del SiC
La misurazione della tensione di soglia dei transistor a effetto di campo su semiconduttore a ossido metallico (MOSFET) al carburo di silicio (SiC) è più complessa rispetto alla caratterizzazione dei FET convenzionali al silicio, poiché l'isteresi provoca uno spostamento della Vth in base alle precedenti condizioni di polarizzazione del gate. La nota applicativa dimostra che, anche a parità di circuito di misura, impulsi di condizionamento diversi possono produrre tensioni di soglia estratte diverse, rendendo difficile una valutazione ripetibile del dispositivo.
Per ovviare a questo problema, la specifica JEP183 raccomanda di applicare un impulso di condizionamento positivo prima della misurazione, in modo che la carica intrappolata rimanga in uno stato controllato durante l'estrazione del Vth. Le soluzioni Keysight basate sui modelli B1505A/B1506A con EasyEXPERT group+ e sulla sorgente di misura B2902C con il software PathWave IV Curve Measurement aiutano i tecnici a implementare questi flussi di lavoro per una caratterizzazione dei MOSFET SiC più stabile, accurata e pronta per l'applicazione.
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