Comment mesurer la tension Vth d'un MOSFET au carbure de silicium

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Caractérisation d'une tension Vth stable du SiC

La mesure de la tension de seuil des transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) est plus complexe que la caractérisation des FET classiques à base de silicium, car l'hystérésis entraîne une variation de Vth en fonction des conditions de polarisation antérieures de la grille. La note d'application montre que, même lorsque le circuit de mesure reste inchangé, des impulsions de conditionnement différentes peuvent donner lieu à des tensions de seuil extraites différentes, ce qui rend difficile l'évaluation reproductible des dispositifs.

Pour remédier à cela, la spécification JEP183 recommande d'appliquer une impulsion de conditionnement positive avant la mesure, afin que la charge piégée reste dans un état contrôlé pendant l'extraction de Vth. Les solutions Keysight basées sur les modèles B1505A/B1506A avec EasyEXPERT group+ et la source de mesure B2902C avec le logiciel PathWave IV Curve Measurement aident les ingénieurs à mettre en œuvre ces flux de travail pour une caractérisation des MOSFET SiC plus stable, plus précise et prête à l'emploi.

Solution de mesure de la tension de seuil (Vth) des MOSFET au SiC

La caractérisation de la tension de seuil des MOSFET au SiC nécessite des techniques de mesure contrôlées afin de minimiser les effets d'hystérésis et de garantir des résultats stables et reproductibles. Keysight prend en charge la caractérisation de la tension de seuil (Vth) selon la norme JEP183 à l'aide de tests d'application prêts à l'emploi sur l'analyseur de dispositifs de puissance B1505A/B1506A / Curve Tracer, ainsi que des mesures à haute vitesse basées sur les formes d'onde avec les unités de mesure de source Expert B2902C et le logiciel de mesure de courbes PathWave IV PW9251A. Ces approches permettent aux ingénieurs de réduire la variabilité, d'extraire des valeurs Vth cohérentes et d'optimiser les flux de travail de mesure. Ensemble, elles offrent la flexibilité nécessaire pour concilier facilité d'utilisation, vitesse de test et exigences d'intégration système pour une caractérisation avancée des dispositifs.
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