如何測量 CMOS 偏壓溫度不穩定性

+ 參數分析儀

以最小恢復量測量偏置溫度不穩定性退化

要進行偏壓溫度不穩定性（BTI）特性分析，必須對金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）施加電應力，並定期測量元件特性的變化。負偏壓溫度不穩定性（NBTI）主要影響在負柵極偏壓下的 PMOS 元件，而正偏壓溫度不穩定性（PBTI）則可透過相應的應力條件進行評估。測量時通常會追蹤閾值電壓或漏極電流隨累積應力時間的變化。

「應力－測量－應力」序列首先建立元件的電流-電壓特性，接著施加選定的應力，然後進行週期性的點測或掃測。由於元件在應力移除後可能會開始恢復，進而可能降低測得的劣化程度，因此測量間隔必須設定得較短。此外，亦可施加直流與交流應力並加以比較，以表徵元件在不同工作條件下的行為。

快速偏壓溫度不穩定性測試解決方案

偏壓溫度不穩定性（BTI）測試需要在施加受控電應力之際，將應力移除與元件測量之間的間隔時間縮至最短。是德科技（Keysight）半導體元件分析儀透過源/監測單元及其波形產生器/快速測量單元（WGFMU），支援 BTI 測試。 WGFMU 結合了任意線性波形產生功能與超高速電流-電壓測量功能，可施加直流與交流應力。它支援「施加應力-測量-施加應力」的測試模式，將應力中斷時間降至最低，並能執行點測與掃描測量。EasyEXPERT 包含 BTI 應用測試，以及採用電流採樣與漏極電流對柵極電壓測量方法的專用快速 BTI 測試。

索取報價