CMOS 바이어스 온도 불안정성 측정 방법

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최소한의 복구로 바이어스 온도 불안정성 열화 측정

바이어스 온도 불안정성(BTI) 특성화를 위해서는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 전기적 스트레스를 인가하고 소자 특성의 변화를 주기적으로 측정해야 합니다. 네거티브 바이어스 온도 불안정성(NBTI)은 주로 네거티브 게이트 바이어스 하의 PMOS 소자에 영향을 미치며, 포지티브 바이어스 온도 불안정성(PBTI)은 해당 스트레스 조건을 사용하여 평가할 수 있습니다. 측정은 일반적으로 누적 스트레스 시간의 함수로 임계 전압 또는 드레인 전류를 추적합니다.

스트레스-측정-스트레스 시퀀스는 먼저 소자의 전류-전압 특성을 확립하고, 선택된 스트레스를 인가한 다음, 주기적인 스폿 또는 스윕 측정을 수행합니다. 스트레스가 제거되면 소자가 복구를 시작하여 측정된 열화가 감소할 수 있으므로 측정 간격이 짧아야 합니다. 직류 및 교류 스트레스를 모두 인가하고 비교하여 다양한 작동 조건에서 소자 동작을 특성화할 수도 있습니다.

고속 바이어스 온도 불안정성 시험 솔루션

바이어스 온도 불안정성 테스트는 제어된 전기적 스트레스를 인가하는 동시에 스트레스 제거와 소자 측정 사이의 시간을 최소화해야 합니다. 키사이트 반도체 디바이스 분석기는 소스/모니터 유닛과 파형 발생기/고속 측정 유닛(WGFMU)을 사용하여 BTI 테스트를 지원합니다. WGFMU는 임의 선형 파형 생성과 초고속 전류-전압 측정을 결합하여 직류 및 교류 스트레스를 모두 지원합니다. 스트레스 중단이 최소화된 스트레스-측정-스트레스 테스트를 지원하며 스폿 및 스윕 측정을 수행할 수 있습니다. EasyEXPERT에는 BTI 애플리케이션 테스트뿐만 아니라 전류 샘플링 및 드레인 전류 대 게이트 전압 측정 방법을 사용하는 전용 고속 BTI 테스트가 포함되어 있습니다.
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