Come misurare l'instabilità termica della polarizzazione dei circuiti CMOS
Misurazione del degrado dovuto all’instabilità termica di bias con recupero minimo
La caratterizzazione dell'instabilità termica di polarizzazione (BTI) richiede l'applicazione di uno stress elettrico a un transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) e la misurazione periodica delle variazioni delle caratteristiche del dispositivo. L'instabilità termica di polarizzazione negativa (NBTI) interessa principalmente i dispositivi PMOS sottoposti a polarizzazione negativa del gate, mentre l'instabilità termica di polarizzazione positiva (PBTI) può essere valutata utilizzando condizioni di stress corrispondenti. Le misurazioni tracciano tipicamente la tensione di soglia o la corrente di drain in funzione del tempo di stress accumulato.
Una sequenza "stress-misura-stress" stabilisce innanzitutto le caratteristiche corrente-tensione del dispositivo, applica lo stress selezionato e quindi esegue misurazioni periodiche puntuali o a scansione. Gli intervalli di misurazione devono essere brevi perché il dispositivo può iniziare a riprendersi quando lo stress viene rimosso, riducendo potenzialmente il degrado misurato. È inoltre possibile applicare stress in corrente continua e in corrente alternata e confrontarli per caratterizzare il comportamento del dispositivo in diverse condizioni operative.
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Analizzatore di parametri di dispositivi a semiconduttore B1500A / Sistema di caratterizzazione a semiconduttore Mainframe
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