如何進行低電流脈衝測量

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+ 模組化 PXIe 源量測單元

低電流脈衝靜脈注射測試

低電流與窄脈衝測量需要提供精確的電壓或電流，同時以最低的雜訊水準擷取極微小的電流響應。測試設置通常採用源量測單元（SMU）來執行電流-電壓（IV）特性分析，包括反向偏壓漏電流測量及脈衝正向電流測試。精確的測量取決於低雜訊連接、最佳化的光闌時間，以及受控的測量延遲，以減少穩態效應和介電吸收。

測量過程包含設定電壓掃頻或脈衝訊號、擷取範圍從飛安培至毫安培的電流響應，並分析瞬態與穩態行為。窄脈衝測試需要高採樣率以擷取快速轉變，而階躍響應測量則用於驗證穩態時間與上升/下降速率表現。這些方法可對半導體及光學元件在直流與瞬態條件下的特性進行表徵。

低電流脈衝測量解決方案

低電流脈衝測量需要在寬廣的動態範圍內實現精確的電流源輸出與準確的電流檢測，同時保持低雜訊與快速的瞬態響應。此解決方案採用 PXI Express (PXIe) 精密源量測單元 (SMU)，可執行直流與脈衝式 IV 特性分析。它支援從飛安培級電流至數百毫安培的測量範圍，並能產生短至微秒級的窄脈衝。該系統整合了高解析度測量能力、最高達每秒百萬次取樣的高速取樣率，以及用於擷取瞬態響應的數位化功能。它支援反向偏壓漏電流測試、脈衝正向電流測量及階躍響應分析。憑藉可配置的掃描參數、觸發控制及資料匯出功能，此解決方案可在實驗室與生產環境中，實現可重複且自動化的半導體元件特性分析。

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