如何進行低電流脈衝測量

+ 模組化 PXIe 來源量測單元

低電流脈衝 IV 測試

低電流和窄脈衝量測需要提供精確的電壓或電流，同時擷取極小的電流響應，並將雜訊降至最低。測試設定通常使用來源量測單元 (SMU) 來執行電流對電壓 (IV) 特性分析，包括反向偏壓洩漏量測和脈衝順向電流測試。精確的量測取決於低雜訊連接、最佳化的孔徑時間和受控的量測延遲，以減少穩定效應和介電吸收。

量測過程涉及配置電壓掃描或脈衝訊號、擷取從飛安培到毫安培範圍的電流響應，並分析暫態和穩態行為。窄脈衝測試需要高取樣率來擷取快速轉換，而步階響應量測則驗證穩定時間和壓擺率性能。這些方法能夠在直流和暫態條件下對半導體和光學元件進行特性分析。

低電流脈衝測量解決方案

低電流脈衝量測需要精確的源極和寬動態範圍內的準確電流偵測，同時保持低雜訊和快速暫態響應。此解決方案使用 PXI Express (PXIe) 精密來源量測單元 (SMU) 來執行直流和脈衝 IV 特性分析。它支援從飛安培級電流到數百毫安培的量測，並能產生低至微秒範圍的窄脈衝。該系統整合了高解析度量測能力、高達每秒百萬次取樣的快速取樣率，以及用於擷取暫態響應的數位化功能。它支援反向偏壓洩漏測試、脈衝順向電流量測和步階響應分析。憑藉可配置的掃描參數、觸發控制和資料匯出功能，此解決方案可在實驗室和生產環境中實現可重複且自動化的半導體元件特性分析。

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