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Wie man Impulsmessungen mit niedrigem Strom durchführt

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+ Modulare PXIe-Source-Measure-Einheit

Niedrigstrom-Impuls-IV-Test

Messungen mit niedrigen Strömen und kurzen Impulsen erfordern eine präzise Spannungs- oder Stromversorgung bei gleichzeitiger Erfassung extrem kleiner Stromänderungen mit minimalem Rauschen. Der Testaufbau verwendet typischerweise eine Source-Measure-Unit (SMU) zur Strom-Spannungs-Kennlinienmessung (IV-Kennlinie), einschließlich Leckstrommessungen in Sperrrichtung und gepulsten Durchlassstrommessungen. Genaue Messungen setzen rauscharme Verbindungen, optimierte Messzeiten und kontrollierte Messverzögerungen voraus, um Einschwingvorgänge und dielektrische Absorption zu minimieren.

Der Messprozess umfasst die Konfiguration von Spannungssweeps oder Impulssignalen, die Erfassung von Stromantworten im Femtoampere- bis Milliamperebereich und die Analyse des transienten und stationären Verhaltens. Kurzpulsmessungen erfordern hohe Abtastraten, um schnelle Übergänge zu erfassen, während Sprungantwortmessungen die Einschwingzeit und die Anstiegsgeschwindigkeit überprüfen. Diese Methoden ermöglichen die Charakterisierung von Halbleiter- und optischen Bauelementen sowohl unter Gleichstrom- als auch unter transienten Bedingungen.

Lösung zur Messung von Niedrigstromimpulsen

Die Messung von Niedrigstromimpulsen erfordert eine präzise Stromquelle und genaue Stromerfassung über einen weiten Dynamikbereich bei gleichzeitig geringem Rauschen und schneller Einschwingzeit. Diese Lösung nutzt eine präzise PXI Express (PXIe) Source Measure Unit (SMU) zur Charakterisierung von Gleichstrom- und gepulsten IV-Spannungen. Sie unterstützt Messungen von Strömen im Femtoampere-Bereich bis hin zu Hunderten von Milliampere und ermöglicht die Erzeugung schmaler Impulse bis in den Mikrosekundenbereich. Das System integriert hochauflösende Messfunktionen, hohe Abtastraten von bis zu Megasamples pro Sekunde und Digitalisierungsfunktionen zur Erfassung von Einschwingvorgängen. Es unterstützt Leckstrommessungen in Sperrrichtung, gepulste Vorwärtsstrommessungen und Sprungantwortanalysen. Dank konfigurierbarer Sweep-Parameter, Triggersteuerung und Datenexportfunktionen ermöglicht die Lösung die reproduzierbare und automatisierte Charakterisierung von Halbleiterbauelementen sowohl im Labor als auch in der Produktion.

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