Wie man Niedrigstrom-Pulsmessungen durchführt

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Niedrigstrom-Puls-IV-Tests

Die Messung von Niedrigstrom und schmalen Impulsen erfordert die Bereitstellung präziser Spannungen oder Ströme bei gleichzeitiger Erfassung extrem kleiner Stromantworten mit minimalem Rauschen. Der Testaufbau verwendet typischerweise eine Source Measure Unit (SMU) zur Durchführung von Strom-Spannungs- (IV) Charakterisierungen, einschließlich Leckstrommessungen bei Sperrvorspannung und gepulsten Durchlassstromtests. Genaue Messungen hängen von rauscharmen Verbindungen, optimierter Aperturzeit und kontrollierten Messverzögerungen ab, um Einschwingeffekte und dielektrische Absorption zu reduzieren.

Der Messprozess umfasst die Konfiguration von Spannungssweeps oder Pulssignalen, die Erfassung von Stromantworten über Femtoampere- bis Milliampere-Bereiche und die Analyse von transientem und stationärem Verhalten. Schmalpuls-Tests erfordern hohe Abtastraten, um schnelle Übergänge zu erfassen, während Sprungantwortmessungen die Einschwingzeit und die Anstiegsgeschwindigkeitsleistung überprüfen. Diese Methoden ermöglichen die Charakterisierung von Halbleiter- und optischen Bauelementen sowohl unter DC- als auch unter transienten Bedingungen.

Lösung für Niedrigstrom-Pulsmessungen

Die Messung kleiner Stromimpulse erfordert ein präzises Sourcing und eine genaue Stromerkennung über einen großen Dynamikbereich hinweg bei gleichzeitig geringem Rauschen und schnellem Einschwingverhalten. Diese Lösung verwendet eine PXI Express (PXIe) Präzisions-Source-Measure-Unit (SMU) zur Durchführung von sowohl Gleichstrom- als auch gepulsten IV-Charakterisierungen. Sie unterstützt Messungen von Strömen im Femtoampere-Bereich bis hin zu Hunderten von Milliampere und ermöglicht die Erzeugung schmaler Impulse bis hinunter in den Mikrosekundenbereich. Das System integriert hochauflösende Messfunktionen, schnelle Abtastraten von bis zu Megasamples pro Sekunde sowie Digitalisierungsfunktionen zur Erfassung von Einschwingvorgängen. Es unterstützt Sperrstrom-Lecktests, Messungen des gepulsten Vorwärtsstroms und Sprungantwortanalysen. Mit konfigurierbaren Sweep-Parametern, Triggersteuerung und Datenexportfunktionen ermöglicht die Lösung eine reproduzierbare und automatisierte Charakterisierung von Halbleiterbauelementen sowohl in Labor- als auch in Produktionsumgebungen.
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