Comment effectuer des mesures d'impulsions à faible courant

Unité de mesure et de génération de signaux PXIe modulaire
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Essais IV par impulsions à faible courant

La mesure de courants faibles et d'impulsions courtes nécessite de fournir une tension ou un courant précis tout en capturant des réponses de courant extrêmement faibles avec un bruit minimal. Le montage de test utilise généralement une unité de mesure et de source (SMU) pour effectuer la caractérisation courant-tension (IV), y compris les mesures de fuite en polarisation inverse et les tests de courant direct pulsé. La précision des mesures dépend de connexions à faible bruit, d'un temps d'ouverture optimisé et de délais de mesure contrôlés afin de réduire les effets de stabilisation et l'absorption diélectrique.

Le processus de mesure consiste à configurer des balayages de tension ou des signaux impulsionnels, à enregistrer les réponses en courant dans des plages allant du femtoampère au milliampère, puis à analyser le comportement en régime transitoire et en régime permanent. Les essais par impulsions courtes nécessitent des taux d'échantillonnage élevés pour capturer les transitions rapides, tandis que les mesures de réponse en échelon permettent de vérifier le temps de stabilisation et les performances en termes de vitesse de variation. Ces méthodes permettent de caractériser les dispositifs semi-conducteurs et optiques aussi bien en courant continu qu'en régime transitoire.

Solution de mesure des impulsions à faible courant

La mesure d’impulsions à faible courant nécessite une source précise et une détection exacte du courant sur une large plage dynamique, tout en garantissant un faible bruit et une réponse transitoire rapide. Cette solution utilise une unité de mesure et de source de précision (SMU) PXI Express (PXIe) pour effectuer la caractérisation IV en courant continu et en mode pulsé. Elle prend en charge des mesures allant de courants de l’ordre du femtoampère à plusieurs centaines de milliampères et permet de générer des impulsions étroites descendant jusqu’à l’ordre de la microseconde. Le système intègre des capacités de mesure haute résolution, des taux d’échantillonnage rapides pouvant atteindre plusieurs méga-échantillons par seconde, ainsi que des fonctions de numérisation permettant de capturer les réponses transitoires. Il prend en charge les tests de fuite en polarisation inverse, la mesure du courant direct pulsé et l’analyse de réponse en échelon. Grâce à des paramètres de balayage configurables, au contrôle du déclenchement et aux capacités d’exportation des données, cette solution permet une caractérisation reproductible et automatisée des dispositifs semi-conducteurs, tant en laboratoire qu’en environnement de production.

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