Come eseguire misurazioni di impulsi a bassa corrente

Unità modulare di misura e generazione PXIe
+ Unità modulare di misura e generazione PXIe

Prove IV con impulsi a bassa corrente

La misurazione di correnti basse e impulsi di breve durata richiede la generazione di tensioni o correnti precise, acquisendo al contempo risposte di corrente estremamente ridotte con un rumore minimo. La configurazione di prova utilizza in genere un’unità di misura e generazione (SMU) per eseguire la caratterizzazione corrente-tensione (IV), comprese le misurazioni della dispersione in polarizzazione inversa e le prove di corrente diretta a impulsi. L’accuratezza delle misurazioni dipende da connessioni a basso rumore, da un tempo di apertura ottimizzato e da ritardi di misurazione controllati, al fine di ridurre gli effetti di assestamento e l’assorbimento dielettrico.

Il processo di misurazione prevede la configurazione di scansioni di tensione o segnali a impulsi, l'acquisizione delle risposte di corrente in intervalli compresi tra i femtoampere e i milliampere e l'analisi del comportamento transitorio e in regime stazionario. I test con impulsi stretti richiedono elevate frequenze di campionamento per acquisire transizioni rapide, mentre le misurazioni della risposta a gradino verificano il tempo di assestamento e le prestazioni relative alla velocità di variazione. Questi metodi consentono la caratterizzazione dei dispositivi a semiconduttori e ottici sia in condizioni di corrente continua che transitorie.

Soluzione per la misurazione di impulsi a bassa corrente

La misurazione di impulsi a bassa corrente richiede una generazione precisa della corrente e un rilevamento accurato della stessa su un ampio intervallo dinamico, mantenendo al contempo un basso livello di rumore e una risposta transitoria rapida. Questa soluzione utilizza un’unità di misura e generazione di precisione (SMU) PXI Express (PXIe) per eseguire la caratterizzazione IV sia in corrente continua che a impulsi. Supporta misurazioni di correnti che vanno dal livello dei femtoampere a centinaia di milliampere e consente la generazione di impulsi stretti con durate fino all’ordine dei microsecondi. Il sistema integra capacità di misurazione ad alta risoluzione, frequenze di campionamento elevate fino a megacampioni al secondo e funzioni di digitalizzazione per acquisire le risposte transitorie. Supporta test di dispersione in polarizzazione inversa, misurazione della corrente diretta a impulsi e analisi della risposta a gradino. Grazie a parametri di scansione configurabili, controllo del trigger e funzionalità di esportazione dei dati, la soluzione consente una caratterizzazione ripetibile e automatizzata dei dispositivi a semiconduttori sia in ambiente di laboratorio che di produzione.

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