低電流パルス測定の実施方法

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低電流パルスIV試験

低電流および狭パルス測定では、ノイズを最小限に抑えながら極めて微小な電流応答を捉えるとともに、正確な電圧または電流を供給する必要があります。通常、この試験セットアップでは、ソース・メジャー・ユニット（SMU）を使用して、逆バイアス漏れ電流測定やパルス正方向電流試験を含む電流対電圧（IV）特性評価を行います。正確な測定を行うには、低ノイズの接続、最適化された開口時間、および定常状態への移行効果や誘電吸収を低減するための制御された測定遅延が不可欠です。

測定プロセスでは、電圧スイープやパルス信号を設定し、フェムトアンペアからミリアンペアの範囲にわたる電流応答を計測し、過渡応答および定常状態の挙動を解析します。狭パルス試験では、高速な遷移を捉えるために高いサンプリングレートが必要ですが、ステップ応答測定では、セトリング時間とスルーレートの性能を検証します。これらの手法により、直流および過渡状態の両方において、半導体デバイスや光デバイスの特性評価が可能になります。

低電流パルス測定ソリューション

低電流パルスの測定には、低ノイズと高速な過渡応答を維持しつつ、広いダイナミックレンジにわたる精密な電流供給と正確な電流検出が必要です。このソリューションでは、PXI Express（PXIe）対応の高精度ソース・メジャー・ユニット（SMU）を使用して、直流およびパルス電流-電圧（IV）特性評価の両方を行います。フェムトアンペアレベルの電流から数百ミリアンペアまでの測定に対応し、マイクロ秒オーダーの狭いパルス生成も可能です。 このシステムは、高分解能の測定機能、最大で毎秒メガサンプルに達する高速サンプリングレート、および過渡応答を捕捉するためのデジタル化機能を統合しています。逆バイアス漏れ電流試験、パルス正方向電流測定、ステップ応答解析に対応しています。設定可能なスイープパラメータ、トリガー制御、データエクスポート機能を備えたこのソリューションにより、実験室および生産環境の両方で、再現性のある自動化された半導体デバイスの特性評価が可能になります。
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