低電流パルス測定の実施方法

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低電流パルスIVテスト

低電流かつ狭いパルス測定では、最小限のノイズで極めて小さな電流応答を捕捉しながら、高精度な電圧または電流を供給する必要があります。テストセットアップでは通常、ソースメジャーユニット (SMU) を使用して、逆バイアスリーク測定やパルス順方向電流テストを含む電流対電圧 (IV) 特性評価を実行します。正確な測定は、低ノイズ接続、最適化されたアパーチャ時間、およびセトリング効果と誘電吸収を低減するための制御された測定遅延に依存します。

測定プロセスには、電圧スイープまたはパルス信号の設定、フェムトアンペアからミリアンペア範囲にわたる電流応答の捕捉、および過渡的および定常状態の動作解析が含まれます。狭いパルス試験では、高速な遷移を捕捉するために高いサンプリングレートが必要であり、ステップ応答測定ではセトリング時間とスルーレート性能を検証します。これらの方法は、DCおよび過渡条件の両方で半導体および光学デバイスの特性評価を可能にします。

低電流パルス測定ソリューション

低電流パルス測定では、低ノイズと高速過渡応答を維持しながら、広いダイナミックレンジにわたる高精度なソース供給と正確な電流検出が必要です。このソリューションは、PXI Express (PXIe) 高精度ソースメジャーユニット (SMU) を使用して、DCおよびパルスIV特性評価の両方を実行します。フェムトアンペアレベルの電流から数百ミリアンペアまでの測定をサポートし、マイクロ秒範囲までの狭いパルス生成を可能にします。このシステムは、高分解能測定機能、メガサンプル/秒までの高速サンプリングレート、および過渡応答を捕捉するためのデジタル化機能を統合しています。逆バイアスリークテスト、パルス順方向電流測定、およびステップ応答解析をサポートします。設定可能なスイープパラメータ、トリガ制御、およびデータエクスポート機能を備えたこのソリューションは、研究室および生産環境の両方で、再現性のある自動半導体デバイス特性評価を可能にします。
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