如何精確測量低頻噪音

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量測晶圓級的低頻雜訊

為金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 元件建立準確的低頻雜訊 (LFN) 模型，需要在封裝和晶圓層級量測直流 (DC) 特性、閃爍 (1/f) 雜訊和隨機電報雜訊 (RTN)。需要具有增強雜訊靈敏度和寬廣雜訊分析頻率範圍的量測儀器，才能在超低頻、高電流 (高達 1 A) 或高電壓條件下表徵細間距 MOSFET。

測量雜訊功率頻譜密度 (1/f 雜訊) 和時域雜訊，以完整描述 MOSFET 低頻雜訊 (LFN)。透過將晶圓探棒和訊號調節電路放置在靠近待測裝置的位置，最大限度地減少掃描期間的外部雜訊影響。自動化探針台控制和晶圓映射，以消除外部雜訊源並提高 LFN 模型精準度。將量測資料匯出至連接的建模工具，以開發穩固的 MOSFET LFN 模型。

整合式晶圓上雜訊量測解決方案

準確量測 MOSFET 低頻雜訊 (LFN) 需要晶圓級的整合解決方案。Keysight 先進的低頻雜訊分析解決方案能夠快速進行晶圓級 1/f 雜訊和 RTN 量測。雜訊靈敏度達到 -185 dBV²/Hz，它可以在高達 200 V 的高電壓和低至 30 MHz 的超低頻率下準確特性化眾多裝置。該解決方案整合了自動化晶圓級量測和晶圓映射軟體。建模工程師可以使用 50 個統包量測驅動程式，涵蓋大多數業界標準探針台。量測到的雜訊資料可匯出至 Keysight 裝置建模軟體，以開發穩健的 MOSFET LFN 模型。

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