Genaue Messung von tieffrequentem Lärm

Angebot
EDA-Software
+ EDA-Software
EDA-Software
+ EDA-Software

Messung des niederfrequenten Rauschens auf Wafer-Ebene

Die Erstellung genauer Modelle des niederfrequenten Rauschens (LFN) für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) erfordert die Messung der Gleichstromeigenschaften, des Flackerrauschens (1/f) und des zufälligen Telegrafenrauschens (RTN) sowohl auf Gehäuse- als auch auf Waferebene. Für die Charakterisierung von Fine-Pitch-MOSFETs bei extrem niedrigen Frequenzen, hohen Strömen (bis zu 1 A) oder hohen Spannungen werden Messgeräte mit erhöhter Rauschempfindlichkeit und einem breiten Frequenzbereich für die Rauschanalyse benötigt.

Messen Sie die spektrale Rauschleistungsdichte (1/f-Rauschen) und das Rauschen im Zeitbereich, um MOSFET LFN vollständig zu charakterisieren. Minimieren Sie externe Rauscheinflüsse während des Scannens, indem Sie den Wafer-Prober und die Signalkonditionierungsschaltung nahe am zu prüfenden Bauteil platzieren. Automatisieren Sie die Prober-Steuerung und das Wafer-Mapping, um externe Rauschquellen zu eliminieren und die Genauigkeit des LFN-Modells zu verbessern. Exportieren Sie Messdaten in angeschlossene Modellierungswerkzeuge, um robuste MOSFET-LFN-Modelle zu entwickeln.

Integrierte On-Wafer-Rauschmesslösung

Die genaue Messung des niederfrequenten MOSFET-Rauschens (LFN) erfordert eine integrierte Lösung auf Waferebene. Die fortschrittliche Keysight-Lösung für die Analyse des niederfrequenten Rauschens ermöglicht schnelle 1/f-Rausch- und RTN-Messungen auf Wafer-Ebene. Mit einer Rauschempfindlichkeit von -185 dBV2 / Hz kann sie zahlreiche Bauelemente bei hohen Spannungen bis zu 200 V und ultraniedrigen Frequenzen bis zu 30 MHz genau charakterisieren. Die Lösung integriert automatisierte Messungen auf Wafer-Ebene und Wafer-Mapping-Software. Modellierungsingenieure können 50 schlüsselfertige Messtreiber verwenden, die die meisten Industriestandard-Prober abdecken. Die gemessenen Rauschdaten können in die Keysight-Software zur Gerätemodellierung exportiert werden, um robuste MOSFET-LFN-Modelle zu entwickeln.
Angebot

Siehe Demo zur Messung von niederfrequentem Rauschen

Entdecken Sie die Produkte in unserer Lösung für Lärmmessung und -modellierung

Verwandte Anwendungsfälle

Entwurf von sanft schaltenden Leistungsumrichtern

Die Entwicklung eines effizienten Stromrichters bei hohen Frequenzen erfordert den Einsatz von Soft-Switching-Techniken im gesamten Betriebsbereich, um die Schaltverluste zu minimieren. Erfahren Sie, wie Sie komplexe Steuerungsparameter simulieren können, um ein robustes Design für sanft schaltende Stromrichter zu ermöglichen.

Mehr erfahren

Wie man serielle Busse charakterisiert

Die Charakterisierung serieller Busse in Embedded-Designs erfordert das Debuggen und Korrelieren von Datenübertragungen mit anderen Mixed-Signal-Interaktionen. Erfahren Sie, wie Sie I2C, SPI, UART und andere serielle Busse mit einem Oszilloskop debuggen können.

Mehr erfahren

Wie man die IV-Eigenschaften von LEDs bewertet

Die Charakterisierung von Strom und Spannung (IV) für energieeffiziente LEDs erfordert die Fähigkeit, diese gleichzeitig zu erzeugen und zu messen. Erfahren Sie, wie Sie die IV-Eigenschaften von zwei- und dreipoligen Geräten mit einem Quell-/Messgerät bewerten können.

Mehr erfahren

Kontakt Logo

Nehmen Sie Kontakt mit einem unserer Experten auf

Benötigen Sie Hilfe bei der Suche nach der richtigen Lösung für Sie?

Kontakt