Cómo medir con precisión el ruido de baja frecuencia

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Medición del ruido de baja frecuencia en las obleas

La creación de modelos precisos de ruido de baja frecuencia (LFN) para dispositivos transistores semiconductores de óxido metálico de efecto de campo (MOSFET) requiere medir las características de CC, el ruido de parpadeo (1/f) y el ruido telegráfico aleatorio (RTN) tanto a nivel de paquete como de oblea. Para caracterizar los MOSFET de paso fino en condiciones de frecuencias ultrabajas, alta corriente (hasta 1 A) o alta tensión, se necesitan instrumentos de medición con una mayor sensibilidad al ruido y una amplia gama de frecuencias de análisis del ruido.

Mida la densidad espectral de potencia de ruido (ruido 1/f) y el ruido en el dominio temporal para caracterizar completamente la LFN del MOSFET. Minimizar las influencias del ruido externo durante el escaneo colocando la sonda de la oblea y el circuito de acondicionamiento de señal cerca del dispositivo bajo prueba. Automatice el control de la sonda y el mapeo de la oblea para eliminar las fuentes de ruido externas y mejorar la precisión del modelo LFN. Exporte los datos medidos a herramientas de modelado conectadas para desarrollar modelos LFN de MOSFET robustos.

Solución integrada de medición del ruido en la oblea

La medición precisa del ruido de baja frecuencia (LFN) de los MOSFET requiere una solución integrada a nivel de oblea. La solución avanzada de análisis de ruido de baja frecuencia de Keysight permite realizar mediciones rápidas de ruido 1/f y RTN en la oblea. Con una sensibilidad al ruido de -185 dBV2 / Hz, puede caracterizar con precisión numerosos dispositivos a tensiones altas de hasta 200 V y frecuencias ultrabajas de tan sólo 30 MHz. La solución integra software automatizado de medición a nivel de oblea y mapeado de obleas. Los ingenieros de modelado pueden utilizar 50 controladores de medición llave en mano, que cubren la mayoría de sondas estándar del sector. Los datos de ruido medidos están listos para exportarse al software de modelado de dispositivos de Keysight para desarrollar modelos LFN de MOSFET robustos.
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