Genaue Messung von tieffrequentem Lärm

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Messung von Niederfrequenzrauschen auf Wafer-Ebene

Die Erstellung genauer Modelle des niederfrequenten Rauschens (LFN) für Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) erfordert die Messung der Gleichstromeigenschaften, des Flackerrauschens (1/f) und des zufälligen Telegrafenrauschens (RTN) sowohl auf Gehäuse- als auch auf Waferebene. Für die Charakterisierung von Fine-Pitch-MOSFETs bei extrem niedrigen Frequenzen, hohen Strömen (bis zu 1 A) oder hohen Spannungen werden Messgeräte mit erhöhter Rauschempfindlichkeit und einem breiten Frequenzbereich für die Rauschanalyse benötigt.

Messen Sie die spektrale Rauschleistungsdichte (1/f-Rauschen) und das Rauschen im Zeitbereich, um MOSFET LFN vollständig zu charakterisieren. Minimieren Sie externe Rauscheinflüsse während des Scannens, indem Sie den Wafer-Prober und die Signalkonditionierungsschaltung nahe am zu prüfenden Bauteil platzieren. Automatisieren Sie die Prober-Steuerung und das Wafer-Mapping, um externe Rauschquellen zu eliminieren und die Genauigkeit des LFN-Modells zu verbessern. Exportieren Sie Messdaten in angeschlossene Modellierungswerkzeuge, um robuste MOSFET-LFN-Modelle zu entwickeln.

Integrierte On-Wafer-Rauschmesslösung

Die genaue Messung des niederfrequenten MOSFET-Rauschens (LFN) erfordert eine integrierte Lösung auf Waferebene. Die fortschrittliche Keysight-Lösung für die Analyse des niederfrequenten Rauschens ermöglicht schnelle 1/f-Rausch- und RTN-Messungen auf Wafer-Ebene. Mit einer Rauschempfindlichkeit von -185 dBV2 / Hz kann sie zahlreiche Bauelemente bei hohen Spannungen bis zu 200 V und ultraniedrigen Frequenzen bis zu 30 MHz genau charakterisieren. Die Lösung integriert automatisierte Messungen auf Wafer-Ebene und Wafer-Mapping-Software. Modellierungsingenieure können 50 schlüsselfertige Messtreiber verwenden, die die meisten Industriestandard-Prober abdecken. Die gemessenen Rauschdaten können in die Keysight-Software zur Gerätemodellierung exportiert werden, um robuste MOSFET-LFN-Modelle zu entwickeln.
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