Como medir com precisão o ruído de baixa frequência

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Medição de ruído de baixa frequência no nível das pastilhas

A criação de modelos precisos de ruído de baixa frequência (LFN) para dispositivos de transistor de efeito de campo com semicondutor de óxido metálico (MOSFET) requer a medição de características de CC, ruído de cintilação (1/f) e ruído de telégrafo aleatório (RTN) nos níveis de pacote e de wafer. Os instrumentos de medição com sensibilidade aprimorada ao ruído e uma ampla faixa de frequência de análise de ruído são necessários para caracterizar MOSFETs de passo fino em frequências ultrabaixas, alta corrente (até 1 A) ou condições de alta tensão.

Meça a densidade espectral de potência do ruído (ruído 1/f) e o ruído no domínio do tempo para caracterizar totalmente o MOSFET LFN. Minimize as influências de ruídos externos durante a varredura, colocando a sonda do wafer e o circuito de condicionamento de sinal próximos ao dispositivo em teste. Automatize o controle do prober e o mapeamento do wafer para eliminar fontes de ruído externo e aumentar a precisão do modelo LFN. Exporte dados medidos para ferramentas de modelagem conectadas para desenvolver modelos MOSFET LFN robustos.

Solução integrada para medição de ruído no wafer

A medição precisa do ruído de baixa frequência (LFN) do MOSFET requer uma solução integrada em nível de wafer. A solução avançada de análise de ruído de baixa frequência da Keysight permite medições rápidas de ruído 1/f e RTN no wafer. Com sensibilidade a ruído de -185 dBV2 / Hz, ela pode caracterizar com precisão vários dispositivos em altas tensões de até 200 V e frequências ultrabaixas de até 30 MHz. A solução integra medição automatizada em nível de wafer e software de mapeamento de wafer. Os engenheiros de modelagem podem usar 50 drivers de medição prontos para uso, abrangendo a maioria dos probers padrão do setor. Os dados de ruído medidos estão prontos para serem exportados para o software de modelagem de dispositivos da Keysight para desenvolver modelos MOSFET LFN robustos.
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