Comment mesurer avec précision le bruit à basse fréquence ?

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Mesure du bruit à basse fréquence au niveau des plaquettes de silicium

La création de modèles précis de bruit basse fréquence (LFN) pour les transistors à effet de champ à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) nécessite la mesure des caractéristiques DC, du bruit de papillotement (1/f) et du bruit télégraphique aléatoire (RTN) au niveau du boîtier et de la plaquette de silicium. Des instruments de mesure dotés d'une sensibilité accrue au bruit et d'une large gamme de fréquences d'analyse du bruit sont nécessaires pour caractériser les MOSFET à pas fin dans des conditions d'ultra-basses fréquences, de courant élevé (jusqu'à 1 A) ou de haute tension.

Mesurez la densité spectrale de puissance du bruit (bruit 1/f) et le bruit dans le domaine temporel pour caractériser pleinement le LFN du MOSFET. Minimiser les influences du bruit externe pendant le balayage en plaçant la sonde de la plaquette et le circuit de conditionnement du signal à proximité du dispositif testé. Automatiser le contrôle de la sonde et la cartographie de la plaquette pour éliminer les sources de bruit externes et améliorer la précision du modèle LFN. Exporter les données mesurées vers des outils de modélisation connectés pour développer des modèles LFN MOSFET robustes.

Solution intégrée de mesure du bruit dans la puce

La mesure précise du bruit basse fréquence (LFN) des MOSFET nécessite une solution intégrée au niveau du wafer. La solution avancée d'analyse du bruit basse fréquence de Keysight permet de mesurer rapidement le bruit en 1/f et le RTN au niveau de la plaquette. Avec une sensibilité au bruit de -185 dBV2 / Hz, elle peut caractériser avec précision de nombreux dispositifs à des tensions élevées allant jusqu'à 200 V et à des fréquences ultra-basses de 30 MHz. La solution intègre des mesures automatisées au niveau de la plaquette et un logiciel de cartographie de la plaquette. Les ingénieurs de modélisation peuvent utiliser 50 pilotes de mesure clés en main, couvrant la plupart des sondeurs standard de l'industrie. Les données de bruit mesurées sont prêtes à être exportées vers le logiciel de modélisation de Keysight afin de développer des modèles LFN robustes pour les MOSFET.
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