저주파 노이즈 측정하는 방법

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웨이퍼 레벨에서의 저주파 노이즈 측정

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 디바이스에 대한 정확한 저주파 노이즈(LFN) 모델을 생성하려면 패키지 및 웨이퍼 레벨 모두에서 DC 특성, 플리커(1/f) 노이즈 및 랜덤 텔레그래프 노이즈(RTN) 측정이 필요합니다. 초저주파, 고전류(최대 1A) 또는 고전압 조건에서 미세 피치 MOSFET을 특성화하려면 향상된 노이즈 감도와 광범위한 노이즈 분석 주파수 범위를 갖춘 측정 장비가 필요합니다.

MOSFET LFN을 완벽하게 특성화하기 위해 노이즈 전력 스펙트럼 밀도(1/f 노이즈)와 시간 영역 노이즈를 측정합니다. 스캔 중 외부 노이즈 영향을 최소화하려면 웨이퍼 프로브와 신호 컨디셔닝 회로를 DUT(Device Under Test) 가까이에 배치하십시오. 외부 노이즈 소스를 제거하고 LFN 모델 정확도를 향상시키기 위해 프로버 제어 및 웨이퍼 매핑을 자동화합니다. 견고한 MOSFET LFN 모델을 개발하기 위해 측정된 데이터를 연결된 모델링 도구로 내보냅니다.

통합형 웨이퍼 상 노이즈 측정 솔루션

MOSFET 저주파 노이즈(LFN)를 정확하게 측정하려면 웨이퍼 레벨에서 통합 솔루션이 필요합니다. 키사이트 고급 저주파 노이즈 분석 솔루션은 신속한 온웨이퍼 1/f 노이즈 및 RTN 측정을 가능하게 합니다. -185 dBV2/Hz의 노이즈 감도로 최대 200V의 고전압 및 30MHz의 초저주파에서 수많은 디바이스를 정확하게 특성화할 수 있습니다. 이 솔루션은 자동화된 웨이퍼 레벨 측정 및 웨이퍼 매핑 소프트웨어를 통합합니다. 모델링 엔지니어는 대부분의 산업 표준 프로버를 지원하는 50개의 턴키 측정 드라이버를 사용할 수 있습니다. 측정된 노이즈 데이터는 견고한 MOSFET LFN 모델을 개발하기 위해 키사이트 디바이스 모델링 소프트웨어로 내보낼 준비가 되어 있습니다.
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