Come misurare con precisione il rumore a bassa frequenza

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Misurazione del rumore a bassa frequenza a livello di wafer

La creazione di modelli accurati di rumore a bassa frequenza (LFN) per i dispositivi a transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico (MOSFET) richiede la misurazione delle caratteristiche della corrente continua, del rumore di sfarfallamento (1/f) e del rumore telegrafico casuale (RTN) sia a livello di pacchetto che di wafer. Per caratterizzare i MOSFET a passo fine in condizioni di bassissima frequenza, alta corrente (fino a 1 A) o alta tensione, sono necessari strumenti di misura con una maggiore sensibilità al rumore e un'ampia gamma di frequenze di analisi del rumore.

Misurare la densità dello spettro di potenza del rumore (rumore 1/f) e il rumore nel dominio del tempo per caratterizzare completamente il MOSFET LFN. Ridurre al minimo le influenze del rumore esterno durante la scansione, posizionando la sonda del wafer e il circuito di condizionamento del segnale vicino al dispositivo in esame. Automatizzare il controllo del prober e la mappatura del wafer per eliminare le fonti di rumore esterno e migliorare la precisione del modello LFN. Esportazione dei dati misurati negli strumenti di modellazione collegati per sviluppare modelli LFN MOSFET robusti.

Soluzione integrata per la misurazione del rumore on-wafer

La misurazione accurata del rumore a bassa frequenza (LFN) dei MOSFET richiede una soluzione integrata a livello di wafer. La soluzione avanzata di Keysight per l'analisi del rumore a bassa frequenza consente di effettuare rapidamente misure di rumore 1/f e RTN su wafer. Con una sensibilità al rumore di -185 dBV2 / Hz, è in grado di caratterizzare accuratamente numerosi dispositivi con tensioni elevate fino a 200 V e frequenze ultrabasse fino a 30 MHz. La soluzione integra misure automatizzate a livello di wafer e software di mappatura dei wafer. I tecnici di modellazione possono utilizzare 50 driver di misura "chiavi in mano", che coprono la maggior parte dei probers standard del settore. I dati di rumore misurati sono pronti per essere esportati nel software di modellazione dei dispositivi Keysight per sviluppare robusti modelli di MOSFET LFN.
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