Come misurare con precisione il rumore a bassa frequenza

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Misurazione del rumore a bassa frequenza a livello di wafer

La creazione di modelli accurati di rumore a bassa frequenza (LFN) per i dispositivi a transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido metallico (MOSFET) richiede la misurazione delle caratteristiche della corrente continua, del rumore di sfarfallamento (1/f) e del rumore telegrafico casuale (RTN) sia a livello di pacchetto che di wafer. Per caratterizzare i MOSFET a passo fine in condizioni di bassissima frequenza, alta corrente (fino a 1 A) o alta tensione, sono necessari strumenti di misura con una maggiore sensibilità al rumore e un'ampia gamma di frequenze di analisi del rumore.

Misurare la densità dello spettro di potenza del rumore (rumore 1/f) e il rumore nel dominio del tempo per caratterizzare completamente il MOSFET LFN. Ridurre al minimo le influenze del rumore esterno durante la scansione, posizionando la sonda del wafer e il circuito di condizionamento del segnale vicino al dispositivo in esame. Automatizzare il controllo del prober e la mappatura del wafer per eliminare le fonti di rumore esterno e migliorare la precisione del modello LFN. Esportazione dei dati misurati negli strumenti di modellazione collegati per sviluppare modelli LFN MOSFET robusti.

Soluzione integrata per la misurazione del rumore su wafer

La misurazione accurata del rumore a bassa frequenza (LFN) dei MOSFET richiede una soluzione integrata a livello di wafer. La soluzione avanzata di Keysight per l'analisi del rumore a bassa frequenza consente di effettuare rapidamente misure di rumore 1/f e RTN su wafer. Con una sensibilità al rumore di -185 dBV2 / Hz, è in grado di caratterizzare accuratamente numerosi dispositivi con tensioni elevate fino a 200 V e frequenze ultrabasse fino a 30 MHz. La soluzione integra misure automatizzate a livello di wafer e software di mappatura dei wafer. I tecnici di modellazione possono utilizzare 50 driver di misura "chiavi in mano", che coprono la maggior parte dei probers standard del settore. I dati di rumore misurati sono pronti per essere esportati nel software di modellazione dei dispositivi Keysight per sviluppare robusti modelli di MOSFET LFN.

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