周波数正確に測定する方法

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ウェーハレベルでの低周波ノイズ測定

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）デバイス向けに高精度な低周波ノイズ（LFN）モデルを作成するには、パッケージレベルとウェーハレベルの両方で、DC特性、フリッカ（1/f）ノイズ、およびランダムテレグラフノイズ（RTN）を測定する必要があります。超低周波数、高電流（最大1 A）、または高電圧条件下でファインピッチMOSFETを特性評価するには、強化されたノイズ感度と広範なノイズ解析周波数レンジを備えた測定器が求められます。

MOSFET LFNを完全に特性評価するために、ノイズパワースペクトル密度（1/fノイズ）と時間領域ノイズを測定します。スキャン中の外部ノイズの影響を最小限に抑えるため、ウェハプローブと信号調整回路を被測定デバイスの近くに配置します。プローバ制御とウェハマッピングを自動化し、外部ノイズ源を排除し、LFNモデルの精度を向上させます。測定データを接続されたモデリングツールにエクスポートし、堅牢なMOSFET LFNモデルを開発します。

ウェハー上ウェハー測定ソリューション

MOSFETの低周波ノイズ (LFN) を正確に測定するには、ウェハレベルでの統合ソリューションが必要です。キーサイトのAdvanced低周波ノイズ解析ソリューションは、オンウェハでの1/fノイズおよびRTN測定を迅速に可能にします。-185 dBV2 / Hzのノイズ感度により、最大200 Vの高電圧および30 MHzという超低周波数で多数のデバイスを正確に特性評価できます。このソリューションは、自動ウェハレベル測定およびウェハマッピングソフトウェアを統合しています。モデリングエンジニアは、ほとんどの業界標準プローバをカバーする50種類のターンキー測定ドライバを使用できます。測定されたノイズデータは、堅牢なMOSFET LFNモデルを開発するために、キーサイトのデバイスモデリングソフトウェアにエクスポートする準備ができています。

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