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產品特性
- 將進階低頻雜訊分析儀與 PathWave WaferPro（WaferPro Express）整合在一起，您可進行統包式雜訊量測，對直流特性、電容和射頻 S 參數進行量測
- 使用全新設計的 LNA，量測極低的元件雜訊，例如電晶體線性區域雜訊
- 這款新型的 LNA 還可在非常低的偏壓電流下進行雜訊量測
- 即使在 1 A 大電流下，也可量測高功率元件雜訊
- 可快速進行量測，即使有高準確度要求，也可透過平均次數來提高整體量測效率
- 軟體模組可量測直流特性、1/f 雜訊、 隨機電報雜訊，以及進行資料分析。
- 是德科技與 FormFactor 的密切合作，促成了這套緊密整合的晶圓級解決方案的問市，以便為所有主要晶圓探測系統提供自動化控制功能
E4727B 進階低頻雜訊分析儀可對多種類型的裝置，進行快速、準確且可重複的低頻雜訊（LFN）量測。 藉由緊密整合 PathWave WaferPro（WaferPro Express）軟體，元件建模和特性分析工程師現在可在大型量測套件中加入雜訊量測，包括高速直流、電容和射頻 S 參數量測等，全都由自動化晶圓探測器控制。
圖 1：新型 E4727B 進階低頻雜訊分析儀（A-LFNA）。
應用軟體
備有諸多應用軟體供您選擇，下列為其中幾套重要軟體。
- 製程設計套件（PDK）開發 - 半導體元件代工廠可協助無晶圓廠設計中心，輕易設計收發器等元件，以供行動電話、頻率合成器、類比數位轉換器使用。 為此，代工廠必須向 PDK 提供原始元件的模擬模型。 模擬模型必須包含雜訊對電晶體（BJT、CMOS 等）和電阻器的影響。 雜訊模型必須涵蓋所有可能的偏壓電流、溫度和元件幾何形狀。
- 製造統計製程控制和可靠性 - 例如，GaN 元件製造商可能對晶圓進行雜訊量測，以作為元件可靠度的早期指標。 雜訊較多的元件，比較容易故障。 現在我們可用非破壞性方法來評估可靠度，這種做法與標準的加速壽命測試相當不同。 此外，對於電路應用，雜訊是極重要的參數，晶圓級量測可追蹤在製造完成後，元件每日、每周及每月的雜訊效能變化。
- IC 雜訊規格 - 運算放大器和線性電壓調節器的積體電路製造商，通常需要在產品規格書中說明輸入參考電壓雜訊的特性，然後將其作為一項關鍵規格；一個晶圓可能包含超過 10,000 個這樣的電路。 如欲以更高效率量測並映射整個晶圓（甚至是橫跨多片晶圓）的電路效能，探棒和信號調節電路都必須更靠近待測元件，以增進接地，盡可能降低外部雜訊造成的影響。
統包式量測
Keysight A-LFNA 內建的量測程式提供統包式直流和雜訊量測功能。 舉例而言，如需量測 N 型 MOSFET 的雜訊，測試系統可自動選擇信號源，接著載入可完整揭露元件固有雜訊的阻抗。 工程師可接受系統建議的設定，也可自行修改，然後開始進行量測。 接著 Keysight A-LFNA 便開始量測雜訊功率頻譜密度（1/f 雜訊）和時域（RTN）內的雜訊。 它還可透過多圖資料顯示視窗，將量測到的資料繪製成圖。 您可使用各種不同的視窗分頁（windows tab）加速處理一般任務，例如：評估元件的直流操作點、量測功率頻譜密度曲線的斜率。 此外，您還可使用 PathWave 建模軟體（MBP）和 PathWave 元件建模（IC-CAP）等元件建模工具，對雜訊資料進行分析，然後呈現在元件模型中。 電路設計人員可使用這些元件模型，來確保極度準確的射頻和類比低雜訊電路設計。
使用 W7801B 和 B1500A 的自動化 RTN 解決方案
Keysight W7801B（PathWave WaferPro Express WGFMU 量測套件）可與 B1500A 半導體元件分析儀與 B1530A 波形產生器/快速量測裝置（WGFMU）搭配使用，以便經濟有效地對晶圓執行自動化 RTN 量測。 它還可增進 RTN 量測與資料分析的效率，包括晶圓探測器控制。
主要特性
- 自動化量測，無需編寫程式
- 自動晶圓探測器控制
- 晶圓映射
- 單一資料顯示畫面，可顯示頻域中的多個十倍頻
- 可從現有的 B1500A 升級
RTN 和 1/f 雜訊量測系統比較
量測範例
圖 2： WGFMU 量測範例。
有關 WGFMU 的更多資訊，請參考下方連結。
主要技術規格
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