如何透過高精度 IV 測量來表徵 LED

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+ 模組化 PXIe 精密源極/量測單元 (SMU)

特性分析 LED 電流-電壓行為

發光二極體（LED）電流-電壓特性分析需要在逆向偏壓和順向偏壓操作區域中提供受控的偏壓電壓，同時測量電流。逆向偏壓特性分析使用具有低電流測量範圍的電壓掃描來擷取漏電流，並調整測量延遲和孔徑時間以納入穩定行為和測量雜訊的考量。

順向偏壓特性分析可以使用窄電壓脈衝，同時對電壓和電流進行取樣，以擷取瞬態元件行為。脈衝測量可採用四線連接，而短脈衝寬度則有助於減少元件自熱。快速取樣可擷取電壓脈衝及對應的瞬態電流，以便隨著時間評估元件響應。

高精度 LED IV 特性分析解決方案

特性分析 LED 電流-電壓行為需要受控的電壓供應，以及用於逆向偏壓的靈敏電流測量和用於脈衝順向偏壓的快速取樣。Keysight PXIe 精密型源/測量單元整合了電壓和電流供應與測量，其電流解析度高達 10 fA，電壓解析度高達 500 nV。它支援最低 20 µs 的脈衝寬度和高達 1.25 MSa/s 的取樣率。工程師可以執行低電流逆向偏壓掃描和窄脈衝順向電流測量，同時調整測量延遲和孔徑時間以平衡穩定度、雜訊和測試時間。

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