如何透過高精度 IV 測量來表徵 LED

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+ 模組化 PXIe 精密源極/量測單元 (SMU)

分析 LED 的電流-電壓特性

發光二極體（LED）的電流-電壓特性分析，需在提供受控偏壓的同時，測量反向與正向偏壓工作區域的電流。反向偏壓特性分析採用低電流量程的電壓掃描，以捕捉漏電流，並調整測量延遲與開窗時間，以考量穩態行為及測量雜訊。

正向偏壓特性分析可利用窄脈衝電壓，同時對電壓和電流進行採樣，以捕捉元件的瞬態行為。進行脈衝測量時可採用四線制連接，而較短的脈衝寬度有助於減少元件的自發熱。透過快速採樣可捕捉電壓脈衝及相應的瞬態電流，從而能根據時間變化評估元件的響應。

高精度 LED IV 特性分析解決方案

要表徵 LED 的電流-電壓特性，需要具備受控的電壓源功能，並配合高靈敏度的電流測量（用於反向偏壓）以及快速採樣（用於脈衝式正向偏壓）。是德科技 (Keysight) PXIe 精密源/測量單元整合了電壓與電流的輸出及測量功能，其電流解析度可低至 10 fA，電壓解析度可低至 500 nV。該裝置支援最短 20 µs 的脈衝寬度，以及最高 1.25 MSa/s 的採樣率。工程師可進行低電流反向偏壓掃描及窄脈衝正向電流測量，同時調整測量延遲與光闌時間，以平衡穩態時間、雜訊與測試時間。

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