- 概述
- 所有型號
- 支援
以極高的光學精確度注入故障
雷射故障注入系統可將受控的雷射脈衝傳送至半導體裝置的特定區域，讓安全工程師能夠執行高度針對性的光學故障攻擊。透過在安全性關鍵運作期間精確操控裝置行為，這些平台有助於揭露弱點、評估已實作之對策的有效性，並驗證現代嵌入式系統對先進故障注入攻擊的韌性。
執行精確的光學故障注入
鎖定個別電路區域
運用光學成像、定位與精準對焦功能，將攻擊集中在晶片內的精確位置。
重現複雜的攻擊情境
支援先進的評估技術，包含旨在挑戰現代對策的多脈衝與雙雷射攻擊。
自動化並擴展評估作業
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Wavelength range
370 nm to 532 nm, 700 nm to 1100 nm
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附加功能
3 objectives (optional); magnification 5x; 20x and 50x, 3 objectives; magnification 5x, 20x and 50x, X-axis movement resolution: 0.16 µm, Y-axis movement resolution: 0.32, NIR camera included
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產品類型
Fault injection laser system, Dual laser fault injection system, Fault injection laser microscope
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Technology
Device Security
最受歡迎的配置
故障注入雷射系統
雙雷射故障注入系統
400 nm – 700 nm 故障注入雷射顯微鏡
服務與支援
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常見問題
雷射故障注入（LFI）是一種硬體安全性測試技術，利用高度受控的雷射脈衝來暫時干擾半導體元件的運作。工程師透過在安全關鍵操作期間針對晶片特定區域進行干擾，藉此引發故障並觀察元件的反應。這有助於識別漏洞、驗證對策，以及評估對實際故障攻擊的抵抗能力。
這三種技術都會引入故障，但其傳遞故障的方式有所不同。
- 電壓故障注入會干擾元件電源供應。
- 電磁故障注入（EMFI）則是利用電磁脈衝來注入故障。
- 雷射故障注入則是利用聚焦的雷射能量來針對矽晶片的特定區域。
由於雷射可以聚焦在晶片極小的區域上，因此它通常能提供比其他故障注入技術更高的空間精確度。
雷射故障注入通常用於調查：
- 密碼學漏洞
- 安全開機漏洞
- 身份驗證繞過
- 記憶體損壞問題
- 對策有效性
- 容錯攻擊能力
當需要了解電路特定部分在故障條件下的行為時，這項技術尤其具有價值。
通常需要。對於雷射故障植入，通常需要打開（去除封裝）晶片封裝，以便雷射能夠有清晰的光學路徑直達矽晶。根據元件架構和評估目標，可以從晶粒的正面或背面執行攻擊。
正面攻擊針對半導體晶粒的頂表面，金屬層和電路在此處是可觸及的。
背面攻擊透過晶粒背面的矽基板針對晶片。當正面的金屬層阻擋了對安全關鍵電路的存取時，通常會使用背面攻擊方法。
最合適的方法取決於半導體技術和評估目標。
不同的波長與半導體材料及元件結構的交互作用方式不同。
選擇合適的波長有助於優化：
- 矽穿透深度
- 目標能見度
- 攻擊精度
- 故障有效性
不同的半導體技術、封裝類型和評估目標可能需要不同的波長，以達到期望的故障植入結果。
雙雷射故障植入系統可在單一評估設置中控制兩個獨立的雷射源。這使安全工程師能夠執行可能需要多個不同位置或時間點故障事件的高級攻擊情境。
一些現代元件實作了複雜的對策，單一故障事件可能無法影響這些對策。雙雷射設置允許在元件的不同區域同時或依序引入故障，從而支援更先進的評估。
現代晶片的許多功能區塊緊密相鄰，且許多對策旨在偵測廣泛的干擾（例如整顆晶片的電壓毛刺），但可能對高度局部的故障視而不見。精確的標定讓評估人員能夠測試受保護的特定邏輯是否能被個別干擾，這正是精密的攻擊者所會使用的相同技術。
可以。Keysight 雷射系統與 Inspector 軟體整合，支援測試自動化、測試活動管理、故障分析與可重複的安全性評估。Inspector 可用於控制雷射定位、協調攻擊工作流程、自動化測試序列以及管理評估結果，協助安全團隊執行更有效率且可重現的故障注入測試活動。
雖然雷射故障注入是現今最先進的故障注入技術之一，但現代的雷射系統與自動化軟體正使其逐漸普及於評估實驗室、半導體公司、認證機構和產品安全團隊。隨著安全性測試需求的演進，組織通常會從針對性的弱點評估開始，並逐步擴展至更先進的攻擊情境。