- 概要
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- サポート
ピンポイントの光学的精度で故障を注入
レーザー故障注入システムにより、セキュリティエンジニアは、半導体デバイスの特定領域に制御されたレーザーパルスを照射することで、高度にターゲットを絞った光学的故障攻撃を実行できます。セキュリティ上重要な動作中にデバイスの動作を正確に操作することにより、これらのプラットフォームは、脆弱性の発見、実装された対策の効果の評価、および高度な故障注入攻撃に対する最新の組み込みシステムの耐性の検証を支援します。
精密な光学的故障注入を実行
個別の回路領域をターゲットに設定
光学的なイメージング、ポジショニング、ローカライゼーション機能を使用して、チップ内の正確な位置に攻撃を集中させます。
複雑な攻撃シナリオの再現
最新の対策に対抗するように設計されたマルチパルスおよびデュアルレーザー攻撃など、高度な評価手法をサポートします。
評価の自動化と拡張
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Wavelength range
370 nm to 532 nm, 700 nm to 1100 nm
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追加機能
3 objectives (optional); magnification 5x; 20x and 50x, 3 objectives; magnification 5x, 20x and 50x, X-axis movement resolution: 0.16 µm, Y-axis movement resolution: 0.32, NIR camera included
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（SPD）N6700の製品タイプ
Fault injection laser system, Dual laser fault injection system, Fault injection laser microscope
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Technology
Device Security
最も一般的な構成
故障注入レーザーシステム
デュアルレーザー故障注入システム
400 nm～700 nm 故障注入レーザー顕微鏡
サービスとサポート
厳選されたサポートプランと、優先的な対応および迅速なターンアラウンドタイムにより、迅速なイノベーションを実現します。
予測可能なリースベースのサブスクリプションとフルライフサイクル管理ソリューションにより、ビジネス目標をより迅速に達成できます。
KeysightCareのサブスクライバーとして、コミットされた技術サポートなど、より質の高いサービスをご体験ください。
テストシステムが仕様どおりに動作し、ローカルおよびグローバルな標準に準拠していることを保証します。
社内での講師主導トレーニングやeラーニングにより、迅速に測定を実施できます。
キーサイトのソフトウェアをダウンロードするか、最新バージョンにアップデートしてください。
よくあるご質問
レーザー故障注入（LFI）は、高度に制御されたレーザーパルスを使用して半導体デバイスの動作を一時的に妨害する、ハードウェアセキュリティテスト技術です。セキュリティ上の重要な動作中にチップの特定の領域をターゲットにすることで、エンジニアは故障を誘発し、デバイスの応答を観察することができます。これにより、脆弱性の特定、対策の検証、実際の故障攻撃に対する耐性の評価が可能になります。
これら3つの技術はいずれも故障を発生させますが、故障の注入方法が異なります。
- 電圧故障注入は、デバイスの電源供給を妨害します。
- 電磁界故障注入（EMFI）は、電磁パルスを使用して故障を注入します。
- レーザー故障注入は、集束したレーザーエネルギーを使用してシリコンの特定エリアをターゲットにします。
レーザーはチップの極小領域に集束させることができるため、他の故障注入技術よりも優れた空間精度が得られることがよくあります。
レーザー故障注入は、一般的に以下の調査に使用されます：
- 暗号の脆弱性
- セキュアブートの脆弱性
- 認証のバイパス
- メモリ破損の問題
- 対策の有効性
- 故障攻撃に対する耐性
この技術は、故障条件下で回路の特定部分がどのように動作するかを理解する上で特に価値があります。
通常、必要です。レーザー故障注入では、レーザーがシリコンへの明確な光学的経路を持つように、通常チップパッケージを開封（デキャップ）する必要があります。デバイスのアーキテクチャや評価目的に応じて、攻撃はダイの表面または裏面のどちらからでも実行できます。
表面攻撃は、金属層や回路にアクセスできる半導体ダイの上面をターゲットにします。
裏面からの攻撃は、ダイの裏面にあるシリコン基板を介してチップを狙います。裏面からのアプローチは、表面の金属層によってセキュリティ上重要な回路へのアクセスが妨げられる場合によく使用されます。
最適な手法は、半導体技術と評価の目的に応じて異なります。
波長の違いにより、半導体材料やデバイス構造に対する相互作用が異なります。
適切な波長を選択することで、次の要素を最適化できます：
- シリコンの侵入深度
- ターゲットの視認性
- 攻撃の精度
- 障害発生の有効性
半導体技術、パッケージの種類、評価の目的によっては、望ましい障害注入結果を得るために異なる波長が必要になる場合があります。
デュアルレーザー障害注入システムは、1つの評価セットアップ内で2つの独立したレーザー光源を制御することを可能にします。これにより、セキュリティエンジニアは、異なる場所やタイミングでの複数の障害イベントを必要とする高度な攻撃シナリオを実行できます。
最新のデバイスの中には、単一の障害イベントでは影響を受けない洗練された対策を実装しているものがあります。デュアルレーザーのセットアップを使用すると、デバイスの異なる領域に同時または順次障害を導入できるため、より高度な評価をサポートできます。
最新のチップには複数の機能ブロックが密集しており、多くの対策は（チップ全体の電圧グリッチのような）広範囲な外乱を検出するように設計されていますが、局所的な障害に対しては検知できない場合があります。精密なターゲティングにより、評価者は保護されたロジックの一部を個別に外乱できるかどうかをテストできます。これは、洗練された攻撃者が使用する手法と同じです。
はい。KeysightレーザーシステムはInspectorソフトウェアと統合されており、テスト自動化、キャンペーン管理、障害解析、再現性のあるセキュリティ評価をサポートします。Inspectorを使用することで、レーザーの位置決め制御、攻撃ワークフローの調整、テストシーケンスの自動化、評価結果の管理を行うことができ、セキュリティチームがより効率的で再現性の高い障害注入キャンペーンを実行するのを支援します。
レーザー障害注入は利用可能な最も高度な障害注入技術の1つですが、最新のレーザーシステムと自動化ソフトウェアにより、評価ラボ、半導体企業、認証機関、製品セキュリティチームにとってますますアクセスしやすいものとなっています。組織は通常、ターゲットを絞った脆弱性評価から始め、セキュリティテストの要件が進化するにつれて、より高度な攻撃シナリオへと展開していきます。