加速半導體創新

請根據您正在開發的裝置類型、需要建模的物理現象，以及矽片返廠後需要進行相關性分析的測量結果，來選擇適合的 IC 設計工作流程。其目標在於將設計意圖、模擬結果、考量佈局因素的分析，以及最終的實驗室驗證相互串聯起來。

若要進行射頻（RF）、微波、高速數位物理層、電路、電磁（EM）以及多技術模擬，請從Advanced Design System（ADS）開始。

若您需要探索射頻積體電路（RFIC）、單片微波積體電路（MMIC）、射頻模組、微波電路、天線、封裝、印刷電路板（PCB）、電磁電路（EM-circuit）以及電熱協同模擬的工作流程，請參閱「射頻與微波電路設計」。

若要進行光子積體電路（PIC）的設計、模擬與驗證，請參閱《光子積體電路設計》。

若您對成像、照明、汽車照明、自由空間光子學以及光子元件設計感興趣，請探索「光學設計」。

若要進行包含電路模擬、電磁建模、量子參數萃取及考量佈局因素的分析等功能的超導量子晶片設計，請探索「量子電子學設計」。

若要進行電源轉換器與逆變器設計，並採用兼顧電路、電磁、電熱、寄生效應及電磁干擾（EMI）的模擬工作流程，請探索「電力電子設計」。

晶圓級特性分析通常需要探針台或晶圓測試機、探針尖端或探針卡、低洩漏線纜、精密的信源與量測儀器，以及用於在多個裝置、測試點或晶圓上自動化量測的軟體。典型的配置可能包括：

• 晶圓探測機或探測台，用於接觸晶圓上的元件及測試結構
• 探針卡、探針尖端及帶護套的纜線，可實現可靠的低電平測量
• 用於電流-電壓（IV）特性分析的參數分析儀或源量測單元（SMU）

• 針對結點、閘極結構、可變電容二極體及模型萃取的電容-電壓（CV）測量功能
• 具備脈衝式 IV 測量功能，可在評估快速行為的同時，減少自熱或困鎖效應
• 用於射頻與微波散射參數（S 參數）測量的向量網路分析儀（VNA）
• 用於自動化晶圓級量測計畫、測試機移動、儀器控制及資料擷取的軟體

若要進行元件特性分析，請探索「半導體元件參數分析儀」，該儀器支援 IV、CV 以及快速脈衝 IV 測量。

若要進行緊湊型建模及裝置模型萃取，請探索Device Modeling IC-CAP。

若要進行自動化晶圓級量測，請探索「Device Modeling WaferPro」以及使用 IC-CAP WaferPro 進行的晶圓上量測。

當手動探測、設定、資料蒐集及晶圓圖譜檢視的流程，因需測試的元件數量、晶圓位置、溫度、晶圓片或批次過多而變得過於緩慢或結果不一致時，您應將半導體參數測試自動化。一套完善的自動化參數測試工作流程應具備以下功能：

• 測試計畫的建立與重複使用
• 儀器設定與測量流程
• 晶圓測試機控制與定位步進
• IV、CV、脈衝、頻率或射頻測量
• 晶圓地圖、分佈情況及趨勢數據
• 參數極限檢查與異常值識別
• 用於建模、製程控制及良率分析的資料匯出

若您需要進行研發（R&D）、元件特性分析及緊湊型建模，不妨探索「Device Modeling WaferPro」——該軟體可執行自動化晶圓級測量，並提供儀器及晶圓探測器驅動程式。

若需進行晶圓驗收測試（WAT）、製程控制監測（PCM）以及以量產為導向的參數測試，請了解「平行參數測試系統」。

針對矽光子學晶圓級生產測試，請了解「矽光子學晶圓測試系統」，該系統配備全自動晶圓測試機，支援 WAT 或 PCM 工作流程。

漏電流與低電流測量對整個測量路徑極為敏感。在飛安培（fA）、皮安培（pA）或低納安培（nA）等級下，誤差可能源自被測裝置、探針卡、夾具、線纜、切換矩陣、接地、濕度、污染、穩態時間或環境雜訊。為提高漏電流測量的可靠性

• 在適當的情況下，應使用帶護套的三軸纜線
• 盡可能減少透過固定裝置、探針卡、連接器及開關矩陣產生的漏電路徑
• 請保持測量環境清潔、乾燥且穩定
• 電壓階躍後應留出足夠的穩定時間
• 使用屏蔽措施及適當的接地，以減少外部雜訊的干擾
• 進行低電阻測量時，請使用開爾文接法
• 利用開路、短路及已知參考點檢測，將設定漏電與元件漏電區分開來
• 應避免讓超低電流訊號通過不合適的開關或線纜

若要進行半導體元件特性分析，請探索「半導體元件參數分析儀」。

若需進行超低電流與高電阻測量，請參考飛托安培計／皮安培計及電計。

若要在 IV 和 CV 測量系統中實現自動低洩漏切換，請了解「低洩漏切換主機」。

PIC 驗證應針對您需要驗證的光學與電光行為來規劃。完整的工作流程可能包含：被動式光學測量、直流 (DC) 響應度、波長掃描、偏振依賴性行為、射頻 (RF) 頻寬、電光 (E/O) 響應、光電 (O/E) 響應，以及晶圓級生產監控。建議的 PIC 驗證工作流程包括：

• 針對插入損耗、波長響應、回波損耗及偏振相關損耗的被動光學驗證
• 針對調製器、光電偵測器、加熱器、調諧結構及偏壓依賴行為的直流電光驗證
• 針對頻寬、S 參數及頻率響應進行高速 E/O 與 O/E 驗證
• 針對 WAT、PCM 及生產監控的晶圓級光子測試
• 一種整合雷射、光功率計、偏振控制、SMU、矢量網路分析儀（VNA）及晶圓測試機的自動化光學與電氣測試

是的，這些工作流程可支援與現有實驗室儀器及軟體的整合，具體取決於您的儀器型號、驅動程式、測試探針、軟體環境以及測試架構。是德科技的光子測試工作流程是以協調的儀器控制、測量自動化以及可重複的資料擷取為核心建構而成。

關於矽光子學晶圓及射頻測試工作流程，請探索「整合光子學測試產品」。

若需進行光學測量自動化及波長或偏振依賴性測試，請探索「光子應用套件」（PAS）。

若需針對矽光子學的 WAT 或 PCM 並搭配全自動晶圓測試機，請進一步了解「矽光子學晶圓測試系統」。

若要對經校準的 O/E 和 E/O 元件進行特性分析，請參考Lightwave 元件分析儀 (LCA)。