Da Halbleiter- und photonische Bauelemente immer komplexer werden, benötigen Ingenieure eine zuverlässigere Methode zur Korrelation von Simulations-, Mess- und Testergebnissen. Keysight bietet durchgängige Lösungen für Halbleiterdesign, -test und -validierung, die nach Workflow-Phasen organisiert sind, um Ingenieuren den sicheren Übergang vom Labor zur Fertigung zu ermöglichen. Wählen Sie unten einen Workflow aus.
Verbessern Sie die Korrelation und etablieren Sie einen wiederholbareren Validierungsprozess über Design, Charakterisierung, Wafer-Level-Test und photonische IC-Workflows hinweg.
Im eBook entdecken Sie:
Wählen Sie Ihren IC-Design-Workflow basierend auf dem Typ des Geräts, das Sie entwickeln, der Physik, die Sie modellieren müssen, und den Messungen, die Sie nach der Rückkehr des Siliziums korrelieren müssen. Ziel ist es, Designabsicht, Simulationsergebnisse, layoutbewusste Analyse und die spätere Laborvalidierung zu verbinden.
Für Hochfrequenz- (HF), Mikrowellen-, Hochgeschwindigkeits-Digital-Physical-Layer-, Schaltungs-, elektromagnetische (EM)- und Multi-Technologie-Simulationen beginnen Sie mit Advanced Design System (ADS).
Für RFIC-, MMIC-, HF-Modul-, Mikrowellenschaltungs-, Antennen-, Gehäuse-, Leiterplatten- (PCB), EM-Schaltungs- und elektrothermische Co-Simulations-Workflows erkunden Sie RF and Microwave Circuit Design.
Für den Entwurf, die Simulation und Validierung von photonischen integrierten Schaltungen (PICs) erkunden Sie Photonic IC Design.
Für Bildgebung, Beleuchtung, Automobilbeleuchtung, Freistrahloptik und den Entwurf photonischer Bauelemente erkunden Sie Optical Design.
Für den Entwurf supraleitender Quantenchips mit Schaltungssimulation, EM-Modellierung, Quantenparameter-Extraktion und layoutbewusster Analyse erkunden Sie Quantum Electronics Design.
Für den Entwurf von Leistungswandlern und Wechselrichtern mit Simulations-Workflows, die Schaltungs-, EM-, elektrothermische, parasitäre und elektromagnetische Interferenz (EMI)-Effekte berücksichtigen, erkunden Sie Power Electronics Design.
Die Charakterisierung auf Wafer-Ebene erfordert typischerweise eine Probestation oder einen Wafer-Prober, Sondenspitzen oder Probekarten, Kabel mit geringer Leckage, präzise Quellen- und Messinstrumente sowie Software zur Automatisierung von Messungen über mehrere Bauelemente, Testpunkte oder Wafer hinweg. Ein typischer Aufbau kann umfassen:
Zur Bauelementcharakterisierung erkunden Sie den Halbleiter-Bauelement-Parameteranalysator, der IV-, CV- und schnelle gepulste IV-Messungen unterstützt.
Für die Kompaktmodellierung und Bauelementmodellextraktion erkunden Sie Device Modeling IC-CAP.
Für automatisierte Wafer-Level-Messungen erkunden Sie Device Modeling WaferPro und On-Wafer-Messungen mit IC-CAP WaferPro.
Sie sollten die parametrische Halbleiterprüfung automatisieren, wenn manuelle Sondierung, Einrichtung, Datenerfassung und die Überprüfung von Wafer-Maps zu langsam oder inkonsistent werden für die Anzahl der zu testenden Bauelemente, Wafer-Positionen, Temperaturen, Wafer oder Lose. Ein robuster automatisierter parametrischer Test-Workflow sollte Folgendes unterstützen:
Für Forschung und Entwicklung (F&E), Bauelementcharakterisierung und Kompaktmodellierung erkunden Sie Device Modeling WaferPro, das automatisierte Wafer-Level-Messungen durchführt und Treiber für Instrumente und Wafer-Prober bereitstellt.
Für Wafer-Abnahmetests (WAT), Prozesskontrollüberwachung (PCM) und produktionsorientierte parametrische Tests erkunden Sie das Parallel Parametric Test System.
Für Wafer-Level-Produktionstests von Siliziumphotonik erkunden Sie das Silicon Photonics Wafer Test System, das WAT- oder PCM-Workflows mit einem vollautomatischen Wafer-Prober unterstützt.
Leckstrom- und Schwachstrommessungen reagieren sehr empfindlich auf den gesamten Messpfad. Bei Femtoampere (fA), Pikoampere (pA) oder niedrigen Nanoampere (nA) können Fehler vom Prüfling, der Probekarte, der Halterung, der Verkabelung, der Schaltmatrix, der Erdung, der Feuchtigkeit, der Kontamination, der Einschwingzeit oder Umgebungsrauschen herrühren. Um die Zuverlässigkeit von Leckstrommessungen zu verbessern
Zur Charakterisierung von Halbleiterbauelementen informieren Sie sich über den Halbleiter-Bauelement-Parameter-Analysator.
Für Messungen von extrem niedrigen Strömen und hohen Widerständen informieren Sie sich über Femto-/Picoamperemeter und Elektrometer.
Für automatisiertes Schalten mit geringem Leckstrom in IV- und CV-Messsystemen informieren Sie sich über das Low-Leakage-Schalt-Mainframe.
Die PIC-Validierung sollte sich an dem optischen und elektrooptischen Verhalten orientieren, das Sie nachweisen müssen. Ein vollständiger Workflow kann passive optische Messungen, Gleichstrom-Responsivität (DC), Wellenlängen-Sweeps, polarisationsabhängiges Verhalten, HF-Bandbreite, elektrisch-optische (E/O) Antwort, optisch-elektrische (O/E) Antwort und die Produktionsüberwachung auf Wafer-Ebene umfassen. Empfohlene PIC-Validierungs-Workflows sind:
Ja, diese Workflows unterstützen die Integration mit bestehenden Laborinstrumenten und Software, abhängig von Ihren Instrumentenmodellen, Treibern, Probern, der Softwareumgebung und der Testarchitektur. Keysight Workflows für photonische Tests basieren auf koordinierter Instrumentensteuerung, Messautomatisierung und wiederholbarer Datenerfassung.
Für Workflows zum Testen von Siliziumphotonik-Wafern und HF-Tests informieren Sie sich über Produkte für integrierte Photonik-Tests.
Für die Automatisierung optischer Messungen und Tests der Wellenlängen- oder Polarisationsabhängigkeit informieren Sie sich über die Photonic Application Suite (PAS).
Für Siliziumphotonik-WAT oder PCM mit einem vollautomatischen Wafer-Prober informieren Sie sich über das Siliziumphotonik-Wafer-Testsystem.
Für die kalibrierte O/E- und E/O-Bauteilcharakterisierung informieren Sie sich über Lightwave Component Analyzers (LCAs).
Erfahren Sie, wie Universitäten zukünftige Halbleiter-Ingenieure durch praktisches Lernen im IC-Design, bei Wafer-Level-Tests und der Messung photonischer ICs vorbereiten.
Können wir Ihnen behilflich sein?