반도체 혁신 가속화

구축하려는 디바이스 유형, 모델링해야 하는 물리적 현상, 실리콘 반환 후 상관 관계를 파악해야 하는 측정값을 기반으로 IC 설계 워크플로를 선택하십시오. 목표는 설계 의도, 시뮬레이션 결과, 레이아웃 인식 분석 및 최종 랩 검증을 연결하는 것입니다.

무선 주파수(RF), 마이크로웨이브, 고속 디지털 물리 계층, 회로, 전자기(EM) 및 다중 기술 시뮬레이션의 경우 Advanced Design System (ADS)로 시작하십시오.

RF 집적 회로(RFIC), 단일 마이크로웨이브 집적 회로(MMIC), RF 모듈, 마이크로웨이브 회로, 안테나, 패키징, 인쇄 회로 기판(PCB), EM 회로 및 전기-열 공동 시뮬레이션 워크플로의 경우 RF 및 마이크로웨이브 회로 설계를 살펴보십시오.

포토닉 집적 회로(PIC) 설계, 시뮬레이션 및 검증의 경우 Photonic IC Design을 살펴보십시오.

이미징, 조명, 자동차 조명, 자유 공간 포토닉스 및 포토닉 디바이스 설계의 경우 Optical Design을 살펴보십시오.

회로 시뮬레이션, EM 모델링, 양자 파라미터 추출 및 레이아웃 인식 분석을 통한 초전도 양자 칩 설계의 경우 Quantum Electronics Design을 살펴보십시오.

회로, EM, 전기-열, 기생 및 전자기 간섭(EMI) 인식 시뮬레이션 워크플로를 통한 전력 변환기 및 인버터 설계의 경우 Power Electronics Design을 살펴보십시오.

웨이퍼 레벨 특성화에는 일반적으로 프로브 스테이션 또는 웨이퍼 프로버, 프로브 팁 또는 프로브 카드, 저누설 케이블링, 정밀 소스 및 측정 장비, 그리고 여러 디바이스, 사이트 또는 웨이퍼에 걸쳐 측정을 자동화하는 소프트웨어가 필요합니다. 일반적인 설정에는 다음이 포함될 수 있습니다:

• 웨이퍼의 디바이스 및 테스트 구조에 접촉하기 위한 웨이퍼 프로버 또는 프로브 스테이션
• 안정적인 저레벨 측정을 위한 프로브 카드, 프로브 팁 및 가드 케이블링
• 전류-전압(IV) 특성화를 위한 파라미터 분석기 또는 소스 측정 장치(SMU)

• 접합부, 게이트 구조, 버랙터 및 모델 추출을 위한 정전 용량-전압(CV) 측정 기능
• 자체 발열 또는 트래핑 효과를 줄이면서 빠른 동작을 평가하는 펄스 IV 기능
• RF 및 마이크로웨이브 산란 파라미터(S-파라미터) 측정을 위한 벡터 네트워크 분석기(VNA)
• 웨이퍼 레벨 측정 계획, 프로버 이동, 장비 제어 및 데이터 수집을 자동화하는 소프트웨어

디바이스 특성화를 위해 IV, CV 및 고속 펄스 IV 측정을 지원하는 반도체 디바이스 파라미터 분석기를 살펴보십시오.

컴팩트 모델링 및 디바이스 모델 추출을 위해 Device Modeling IC-CAP을 살펴보십시오.

자동화된 웨이퍼 레벨 측정을 위해 Device Modeling WaferPro 및 IC-CAP WaferPro를 사용한 온웨이퍼 측정을 살펴보십시오.

테스트해야 하는 디바이스, 웨이퍼 사이트, 온도, 웨이퍼 또는 로트의 수에 비해 수동 프로빙, 설정, 데이터 수집 및 웨이퍼 맵 검토가 너무 느리거나 일관성이 없어질 때 반도체 파라메트릭 테스트를 자동화해야 합니다. 강력한 자동화된 파라메트릭 테스트 워크플로는 다음을 지원해야 합니다:

• 테스트 계획 생성 및 재사용
• 장비 설정 및 측정 시퀀싱
• 웨이퍼 프로버 제어 및 사이트 스테핑
• IV, CV, 펄스, 주파수 또는 RF 측정
• 웨이퍼 맵, 분포 및 추세 데이터
• 파라메트릭 한계 확인 및 이상치 식별
• 모델링, 공정 제어 및 수율 분석용 데이터 내보내기

연구 개발(R&D), 디바이스 특성화 및 컴팩트 모델링을 위해 자동화된 웨이퍼 레벨 측정을 수행하고 장비 및 웨이퍼 프로버 드라이버를 제공하는 Device Modeling WaferPro를 살펴보십시오.

웨이퍼 승인 테스트(WAT), 공정 제어 모니터링(PCM) 및 생산 지향 파라메트릭 테스트를 위해 병렬 파라메트릭 테스트 시스템을 살펴보십시오.

실리콘 포토닉스 웨이퍼 레벨 생산 테스트를 위해 완전 자동화된 웨이퍼 프로버를 통해 WAT 또는 PCM 워크플로를 지원하는 실리콘 포토닉스 웨이퍼 테스트 시스템을 살펴보십시오.

누설 및 저전류 측정은 전체 측정 경로에 매우 민감합니다. 펨토암페어(fA), 피코암페어(pA) 또는 낮은 나노암페어(nA) 수준에서는 측정 오류가 테스트 대상 디바이스, 프로브 카드, 고정 장치, 케이블링, 스위칭 매트릭스, 접지, 습도, 오염, 안정화 시간 또는 환경 노이즈에서 발생할 수 있습니다. 누설 측정 신뢰도를 높이려면

• 적절한 경우 가드 트라이액셜 케이블링을 사용하십시오
• 고정 장치, 프로브 카드, 커넥터 및 스위치 매트릭스를 통한 누설 경로를 최소화하십시오
• 측정 환경을 깨끗하고 건조하며 안정적으로 유지하십시오
• 전압 스텝 후 충분한 안정화 시간을 확보하십시오
• 외부 노이즈 유입을 줄이기 위해 차폐 및 적절한 접지를 사용하십시오
• 저저항 측정 시 켈빈 연결을 사용하십시오
• 설정 누설과 디바이스 누설을 분리하기 위해 개방, 단락 및 알려진 기준점 확인을 사용하십시오
• 부적합한 스위치 또는 케이블링을 통해 초저전류 신호를 라우팅하는 것을 피하십시오

반도체 디바이스 특성화를 위해 반도체 디바이스 파라미터 분석기를 살펴보십시오.

초저전류 및 고저항 측정을 위해 펨토/피코암미터 및 전위계를 살펴보십시오.

IV 및 CV 측정 시스템에서 자동화된 저누설 스위칭을 위해 저누설 스위치 메인프레임을 살펴보십시오.

PIC 검증은 입증해야 하는 광학 및 전기 광학 동작을 중심으로 구성되어야 합니다. 완전한 워크플로에는 수동 광학 측정, 직류(DC) 응답성, 파장 스윕, 편광 의존적 동작, RF 대역폭, 전기-광학(E/O) 응답, 광학-전기(O/E) 응답 및 웨이퍼 레벨 생산 모니터링이 포함될 수 있습니다. 권장 PIC 검증 워크플로는 다음과 같습니다.

• 삽입 손실, 파장 응답, 반사 손실 및 편광 의존적 손실을 위한 수동 광학 검증
• 변조기, 광검출기, 히터, 튜닝 구조 및 바이어스 의존적 동작을 위한 DC 전기 광학 검증
• 대역폭, S-파라미터 및 주파수 응답을 위한 고속 E/O 및 O/E 검증
• WAT, PCM 및 생산 모니터링을 위한 웨이퍼 레벨 광자 테스트
• 레이저, 광 파워 미터, 편광 제어, SMU, VNA 및 웨이퍼 프로버를 조정하는 자동화된 광학 및 전기 테스트

예, 이러한 워크플로는 장비 모델, 드라이버, 프로버, 소프트웨어 환경 및 테스트 아키텍처에 따라 기존 실험실 장비 및 소프트웨어와의 통합을 지원할 수 있습니다. 키사이트 광자 테스트 워크플로는 조정된 장비 제어, 측정 자동화 및 반복 가능한 데이터 수집을 중심으로 구축됩니다.

실리콘 포토닉스 웨이퍼 및 RF 테스트 워크플로를 위해 통합 포토닉스 테스트 제품을 살펴보십시오.

광학 측정 자동화 및 파장 또는 편광 의존성 테스트를 위해 포토닉스 애플리케이션 스위트(PAS)를 살펴보십시오.

완전 자동화된 웨이퍼 프로버를 사용한 실리콘 포토닉스 WAT 또는 PCM을 위해 실리콘 포토닉스 웨이퍼 테스트 시스템을 살펴보십시오.

교정된 O/E 및 E/O 부품 특성화를 위해 광파 부품 분석기(LCA)를 살펴보십시오.