如何測量光二極體的暗電流

+ 飛安培計/皮安培計和靜電計

測量反向偏壓暗電流

此測試需將光電二極體安裝於密閉的固定裝置中，以確保在測量過程中無光線照射至該元件。向光電二極體的陰極施加反向偏壓，同時在電流表輸入端測量所產生的電流。測量裝置必須能支援在預期的小電流範圍內進行電壓掃描及電流擷取。

針對典型的矽光電二極體測試，請以 500 個測量點及固定為 20 pA 的電流範圍，將反向偏壓在 10 mV 至 5 V 之間掃描。設定 1 秒的測量延遲與 1.2 秒的測量週期，以確保每次讀取前，洩漏電流與介電吸收的瞬態現象皆已趨於穩定。將電流-電壓測試結果顯示於對數 X-Y 坐標圖上，以便快速檢視。

光電二極體暗電流測量解決方案

此測試需要在進行反向偏壓掃描的同時，同步測量光電二極體的電流。是德科技（Keysight）的電位計／高阻計將電壓源與電流錶整合於單一儀器中，可於掃描反向偏壓的同時，在每個點位進行電流測量。以本範例設定為例，測量採用固定的 20 pA 量程、從 10 mV 至 5 V 的 500 個掃描點，並設定 1 s 的測量延遲與 1.2 s 的週期。儀器提供具有對數 X 軸與 Y 軸比例的「圖表檢視」功能，用以檢視電流-電壓曲線；測量可透過前面板或使用 SCPI 指令進行遠端啟動。

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