如何執行晶圓上 Id-Vd 測試

索取報價

檢視解決方案簡報

+ 參數分析儀

量測 MOSFET Id-Vd 特性

晶圓上 Id–Vd 測試需要施加受控的汲極-源極電壓掃描，同時步進閘極電壓，以觀察金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 中的電流響應。量測設定包括配置用於精確電壓源和電流測量的源測量單元，以及用於在晶圓級存取待測裝置的探針台連接。

特性分析過程涉及配置通道映射、定義電壓掃描條件，以及執行自動化量測以擷取 Id–Vd 曲線。分析所得資料以識別截止區、線性區和飽和區，並提取關鍵裝置特性以進行建模和驗證。準確的結果取決於適當的偏壓配置、穩定的探測條件和同步的量測控制。

晶圓上 Id-Vd 測試解決方案

執行晶圓上 Id–Vd 測試需要精確控制電壓掃描，並對半導體裝置進行準確的電流測量。此解決方案將半導體裝置分析儀與 EasyEXPERT 軟體整合，提供完整的參數測試環境。它可實現跨多個閘極電壓的自動化 Id–Vd 掃描、量測資料的即時視覺化，以及 MOSFET 工作區域的識別。該系統支援探針台整合以實現晶圓級存取，並透過引導式量測序列和預配置測試庫簡化設定。這種方法可確保可重複的量測、高效的測試執行，以及用於裝置特性分析和建模的可靠資料。

索取報價